[发明专利]滤波电容器用高方阻金属化膜在审
申请号: | 201310479776.1 | 申请日: | 2013-10-15 |
公开(公告)号: | CN103578755A | 公开(公告)日: | 2014-02-12 |
发明(设计)人: | 荚朝辉;康仙文 | 申请(专利权)人: | 铜陵其利电子材料有限公司 |
主分类号: | H01G4/015 | 分类号: | H01G4/015;H01G4/33 |
代理公司: | 安徽信拓律师事务所 34117 | 代理人: | 鞠翔 |
地址: | 244000 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 滤波 电容 器用 高方阻 金属化 | ||
技术领域
本发明涉及电容器技术领域,具体涉及一种滤波电容器用高方阻金属化膜。
背景技术
薄膜电容器是一种性能优越的电容器,其具有如下主要特性:无极性,绝缘阻抗很高,频率特性优异,介质损失很小,并且体积小容量大。因此,薄膜电容器有着较为广泛的用途,可以形成不同的系列产品,如高比能储能电容器、抗电磁干扰电容器、抗辐射电容器、安全膜电容器、长寿命电容器、高可靠电容器、高压全膜电容器等。随着电子整机向数字化、高频化、多功能化以及向薄、轻、小、便携等方向发展,电容器不可避免的要向体积小、性能优、价格更低的方向发展。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于提供一种自愈性好,使用寿命长的滤波电容器用高方阻金属化膜。
本发明所要解决的技术问题采用以下技术方案来实现:
一种滤波电容器用高方阻金属化膜,包括基膜,所述的基膜上设置有金属镀层,所述金属镀层沿基膜宽度方向的一端边保留一条具有一定宽度的空白留边,所述金属镀层沿基膜宽度方向的另一端边形成具有一定宽度的边缘加厚区,所述边缘加厚区与空白留边之间为非加厚区,所述边缘加厚区的方阻为2-4Ω/□,所述非加厚区的方阻为6-65Ω/□。
所述非加厚区由中间区和边缘区构成,所述边缘区位于空白留边的一侧。
所述中间区的方阻为20-30Ω/□。
所述边缘区的方阻为50-65Ω/□。
所述金属镀层的厚度从加厚区向空白留边区递减。
本发明的有益效果是:本发明具有自愈性好、性能稳定、抗电强度高、不易击穿、生产成本低等许多普通金属化膜不具有的优点,广泛应用于各类电容器的制造,提高了金属化薄膜电容器的使用寿命,将我国电容器及相关延伸产品的制造工艺技术水平和产品质量推向了一个新的水平。
附图说明
图1为本发明结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面结合具体图示,进一步阐述本发明。
如图1所示,一种滤波电容器用高方阻金属化膜,包括基膜10,基膜10上设置有金属镀层20,金属镀层20沿基膜10宽度方向的一端边保留一条具有一定宽度的空白留边201,金属镀层20沿基膜10宽度方向的另一端边形成具有一定宽度的边缘加厚区202,边缘加厚区202与空白留边201之间为非加厚区203,边缘加厚区202的方阻为2-4Ω/□,非加厚区203的方阻为6-65Ω/□。非加厚区203由中间区204和边缘区205构成,边缘区205位于空白留边201的一侧,中间区204的方阻为20-30Ω/□,边缘区205的方阻为50-65Ω/□。
将活动区方阻值从加厚区边缘到留边处呈递增趋势设计,金属镀层的厚度从加厚区向空白留边区递减。活动区方阻与电容器的电流密度分布相适应(屏带处电容器电流密度小,方阻大,加厚区边缘处电容器电流密度大,方阻小)。在电流密度小的区域采用交薄的镀层(方阻大),由于电流密度大的区域采用较厚的镀层(方阻小),用渐变高方阻金属化膜制成的电容器若有疵点产生时,高方阻处金属层先自愈,电容器自愈性能及耐压性能得以提高。
以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解,本发明不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理,在不脱离本发明精神和范围的前提下,本发明还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
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