[发明专利]基板保持装置、具备其之曝光装置、方法在审
申请号: | 201310481917.3 | 申请日: | 2005-06-08 |
公开(公告)号: | CN103558737A | 公开(公告)日: | 2014-02-05 |
发明(设计)人: | 柴崎祐一 | 申请(专利权)人: | 尼康股份有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;H01L21/683 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 任默闻 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 保持 装置 具备 曝光 方法 | ||
本申请是分案申请,原案的申请号为2011101674239,申请日为2005年6月8日,发明名称为基板保持装置、具备其之曝光装置、元件制造方法。原案也是分案申请,原案对应的母案的申请号为200580018933.2,申请日为2005年6月8日,发明名称为基板保持装置、具备其之曝光装置及方法、元件制造方法、拨液片。
技术领域
本发明是有关于保持处理基板的基板保持装置及具备该装置的曝光装置以及元件制造方法。
背景技术
半导体元件或液晶显示元件,是借由将形成于掩模上的图案转印于感旋光性基板上、即所谓的微影方法来制造。此微影步骤所使用的曝光装置,具有支撑掩模的掩模载台与支撑基板的基板载台,使掩模载台与基板载台一边逐次移动一边通过投影光学系统将掩模的图案转印于基板。近年来,为对应元件图案的更高积体化,而期待投影光学系统具有更高分辨率。投影光学系统的分辨率,是所使用的曝光波长越短、或投影光学系统的数值孔径越大则会越提高。因此,曝光装置所使用的曝光波长逐年变短,投影光学系统的数值孔径则逐渐增大。目前主流的曝光波长虽为KrF准分子激光的248nm,但波长更短的ArF准分子激光的193nm亦逐渐实用化。进行曝光时,焦深(DOF)亦与分辨率同样重要。分辨率R及焦深δ分别以下式表示。
R=k1·λ/NA………(1)
δ=±k2·λ/NA2……(2)
此处,λ为曝光波长,NA为投影光学系统的数值孔径,k1、k2是处理系数。从(1)式、(2)式可知,为了提高分辨率R,而缩短曝光波长λ、增大数值孔径NA时,即会使焦深δ变窄。
若焦深δ变得过窄,即难以使基板表面与投影光学系统的像面一致,有进行曝光动作时焦点裕度不足的缺点。因此,作为实质上缩短曝光波长且扩大焦深的方法,例如已提出一种国际公开第99/49504号公报所揭示的液浸法。此液浸法,是以水或有机溶媒等液体充满投影光学系统下面与基板表面间来形成液浸区域,利用液体中的曝光用光的波长为在空气中的1/n倍(n为液体折射率,通常是1.2~1.6左右),来提高分辨率,且将焦深放大至约n倍。
然而,如图18所示,对基板P进行液浸曝光时,会产生液浸区域AR2’(覆盖投影光学系统的投影区域AR1’)的一部分或全部形成于基板P外侧的情形。此时,由于基板P周围的基板载台PST’上面与液体接触,因此容易使形成该基板载台PST’上面的构件(或其被膜)产生劣化或破损。当产生此种劣化或破损时,由于需进行基板载台PST’的交换或修复等维修作业,因此会使曝光装置的运转率降低。
在将液浸区域AR2’一部分形成于基板P外侧的状态下使基板P边缘区域曝光时,液体即有可能会通过基板与基板载台间的间隙等回流至基板背面侧,渗入基板与基板载台(基板保持具)之间。此时,会产生基板载台无法良好地保持基板的可能性。例如,由于渗入基板背面与基板载台间的液体会产生异物的作用,因此有可能导致所支撑的基板的平坦度劣化。或亦能想见会因所渗入的液体气化而形成附着痕迹(即水痕)。由于该水痕亦产生异物的作用,因此可能导致所支撑的基板的平坦度劣化。亦有可能因渗入基板与基板载台间的液体气化时的气化热,而使基板载台产生热变形等不良情形。
发明内容
本发明有鉴于上述情形,其目的是提供能容易执行维修作业的基板保持装置、曝光装置以及使用该曝光装置的元件制造方法。又,本发明的目的是提供适用于液浸曝光装置的拨液片。再者,本发明的目的是提供能防止液体渗入基板背面侧的基板保持装置、曝光装置、以及使用该曝光装置的元件制造方法。
为解决上述问题,本发明采用了对应实施例所示的图1~图17的下述构成。不过,付加于各要素的包含括号的符号仅是该要素的例示,而并非限定各要素。
根据本发明的第1态样,提供一种基板保持装置(PH),用以保持处理基板(P),其特征在于,具备:基材(PHB);第1保持部(PH1),形成于基材(PHB),用以吸附保持处理基板(P);以及第2保持部(PH2),形成于基材(PHB),用以将板体(T)吸附保持于被第1保持部(PH1)吸附保持的处理基板(P)附近。
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