[发明专利]一种KNN-LT无铅压电陶瓷及其制备方法有效
申请号: | 201310482696.1 | 申请日: | 2013-10-15 |
公开(公告)号: | CN103601492A | 公开(公告)日: | 2014-02-26 |
发明(设计)人: | 谈国强;郝航飞 | 申请(专利权)人: | 陕西科技大学 |
主分类号: | C04B35/495 | 分类号: | C04B35/495;C04B35/622 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 徐文权 |
地址: | 710021 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 knn lt 压电 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
1.一种KNN-LT无铅压电陶瓷,其特征在于:其化学式为(1-x)(0.5KNbO3-0.5NaNbO3)-xLiTaO3,其中x=0~0.10。
2.根据权利要求1所述的KNN-LT无铅压电陶瓷,其特征在于:其为钙钛矿结构,其压电常数d33=104~167pC/N,机电耦合系数Kp=17.1~37.3%,机械品质因子Qm=19.2~131.9,居里温度Tc=444.4~461.8℃。
3.根据权利要求1或2所述的KNN-LT无铅压电陶瓷,其特征在于:当x≤0.04时KNN-LT无铅压电陶瓷的主晶相为正交钙钛矿结构;当x≥0.10时KNN-LT无铅压电陶瓷的主晶相为四方钙钛矿结构。
4.一种KNN-LT无铅压电陶瓷的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:
步骤1:按(1-x)(0.5KNbO3-0.5NaNbO3)-xLiTaO3,x=0~0.10的化学计量比,计算KNbO3粉体、NaNbO3粉体和LiTaO3粉体的质量并称取,得原料;
步骤2:将步骤1称取的原料放入反应容器中,加入有机物粘结剂及水,室温下搅拌至混合均匀并形成胶体,然后烘干,得混料;其中加入的有机物粘结剂的质量为原料质量的0.7%~2.3%,加入的水的质量为原料质量的50~100%;
步骤3:向步骤2所得的混料中加入原料质量3~5%的水,混合均匀后放在无光环境中陈腐,然后造粒,再干压成型,得陶瓷生坯片;
步骤4:陶瓷生坯片经过排塑处理,在常压下于1060~1080℃烧结2~3h,冷却后得到KNN-LT无铅压电陶瓷。
5.根据权利要求4所述的KNN-LT无铅压电陶瓷的制备方法,其特征在于:以水热法合成的KNbO3、NaNbO3和LiTaO3粉体为原料。
6.根据权利要求4或5所述的KNN-LT无铅压电陶瓷的制备方法,其特征在于:所述步骤2中的有机粘结剂为原料质量0.1%~0.3%的海藻酸钠、原料质量0.5%~1.5%的腐殖酸钠和原料质量0.1%~0.5%的聚丙烯酸钠。
7.根据权利要求4或5所述的KNN-LT无铅压电陶瓷的制备方法,其特征在于:所述步骤2中的搅拌时间为1~2h,烘干温度为60~80℃。
8.根据权利要求4或5所述的KNN-LT无铅压电陶瓷的制备方法,其特征在于:所述步骤3中的陈腐时间为12~48h,干压成型的压力为20~30MPa。
9.根据权利要求4或5所述的KNN-LT无铅压电陶瓷的制备方法,其特征在于:所述步骤4中的排塑处理的温度为600~700℃;
所述步骤4的烧结过程中在陶瓷生坯片周围用同组成原料作为埋粉以减少烧结过程中碱金属阳离子的挥发。
10.根据权利要求4或5所述的KNN-LT无铅压电陶瓷的制备方法,其特征在于:所述的KNN-LT无铅压电陶瓷还需进行极化操作,具体步骤为:将KNN-LT无铅压电陶瓷被上银电极,在100~120℃的硅油中,在3~3.5kV/mm电压下极化30~60mins。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于陕西科技大学,未经陕西科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310482696.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种洁阴器装置
- 下一篇:应用于激光成像系统中不同厚度基板的标定方法及装置