[发明专利]一种KNN-LT无铅压电陶瓷及其制备方法有效
申请号: | 201310482696.1 | 申请日: | 2013-10-15 |
公开(公告)号: | CN103601492A | 公开(公告)日: | 2014-02-26 |
发明(设计)人: | 谈国强;郝航飞 | 申请(专利权)人: | 陕西科技大学 |
主分类号: | C04B35/495 | 分类号: | C04B35/495;C04B35/622 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 徐文权 |
地址: | 710021 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 knn lt 压电 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明属于钙钛矿结构无铅压电陶瓷领域,涉及一种KNN-LT无铅压电陶瓷及其制备方法。
背景技术
自二十世纪四十年代中期发现钛酸钡陶瓷的压电性以来,特别是具有优异压电性能和高居里温度的锆钛酸铅Pb(Ti,Zr)O3陶瓷成功开发后,结构特征为ABO3型的铅基钙钛矿压电陶瓷的研究开发非常活跃,压电陶瓷及压电陶瓷器件已广泛地应用于工业特别是信息产业领域。以锆钛酸铅(Pb(Ti,Zr)O3)为代表的铅基二元系和以锆钛酸铅(Pb(Ti,Zr)O3)为基、添加第三组元如以铌镁酸铅(Pb(Mg1/3Nb2/3)O3)、锑锰酸铅Pb(Mn1/3Sb2/3)O3为代表的铅基三元系压电陶瓷材料具有优良的压电铁电性能、高的居里温度。工业生产中应用的压电陶瓷绝大多数是该类钙钛矿铅基压电陶瓷。
但是,铅基压电陶瓷材料中,PbO或Pb3O4的含量约占原料总质量的70%。铅污染已成为人类公害之一。铅基压电陶瓷在生产、使用及废弃后处理过程中给人类及生态环境造成严重危害,不利于人类社会的可持续发展。近年来,开发不含铅的、性能优越的压电陶瓷体系受到世界各国特别是欧美、日本、韩国以及中国的日益重视。
目前广泛研究的无铅压电陶瓷体系有四类:铋层状结构无铅压电陶瓷、BaTiO3基无铅压电陶瓷、Bi0.5Na0.5TiO3基无铅压电陶瓷及K0.5Na0.5NbO3碱金属铌酸盐系无铅压电陶瓷。其中KNN系无铅压电陶瓷因具有介电常数小、压电 性能高、频率常数大、密度小、居里温度高等特点,成为当前最有可能取代铅基压电陶瓷的体系之一。然而,传统工艺获得KNN压电陶瓷有以下的缺点:(1)在1140℃以上,KNN会出现液相,所以KNN的温度稳定性被限制在1140℃以下。(2)由于在900℃左右Na和K会以氧化物Na2O和K2O形成开始挥发,造成预烧和烧结的气氛很难控制;(3)KNN在潮湿的环境时非常容易发生潮解,使化学计量发生偏离,导致产生杂相,使陶瓷难以烧结致密。上述原因都限制了KNN体系材料的实际应用。为了优化KNN基无铅压电陶瓷的结构,提高KNN基陶瓷的压电性能,各国学者从添加烧结助剂、A位和B位掺杂取代、添加新组元等方面对KNN基无铅压电陶瓷进行了大量研究;同时,结合热压、放电等离子、热等静压烧结等工艺方法,以期获得致密的KNN陶瓷;然而上述制备方法对设备要求过高、生产工艺苛刻、生产成本较高、材料尺寸受到限制,而且制得的陶瓷的稳定性也不能令人满意,因此难以获得工业化应用。
发明内容
本发明的目的在于提供一种KNN-LT无铅压电陶瓷及其制备方法,该方法工艺简单、能耗低、成本低,制得的KNN-LT无铅压电陶瓷的化学式为(1-x)(0.5KNbO3-0.5NaNbO3)-xLiTaO3(x=0~0.10)。
为达到上述目的,本发明采用的技术方案为:
一种KNN-LT无铅压电陶瓷,其化学式为:
(1-x)(0.5KNbO3-0.5NaNbO3)-xLiTaO3,其中x=0~0.10。
其为钙钛矿结构,其压电常数d33=104~167pC/N,机电耦合系数Kp=17.1~37.3%,机械品质因子Qm=19.2~131.9,居里温度Tc=444.4~461.8℃。
当x≤0.04时KNN-LT无铅压电陶瓷的主晶相为正交钙钛矿结构;当x≥0.10 时KNN-LT无铅压电陶瓷的主晶相为四方钙钛矿结构。
一种KNN-LT无铅压电陶瓷的制备方法,包括以下步骤:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于陕西科技大学,未经陕西科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310482696.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种洁阴器装置
- 下一篇:应用于激光成像系统中不同厚度基板的标定方法及装置