[发明专利]发光器件

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

衬底，所述衬底包括多个凸部；

第一半导体层，所述第一半导体层设置在所述衬底的顶表面上；

多个第一凹坑，所述多个第一凹坑设置在所述第一半导体层的顶表面中并且与所述凸部重叠；

多个第二凹坑，所述多个第二凹坑设置在所述第一半导体层的所述顶表面中并且设置在所述凸部之间的区域中；

第一金属化合物，所述第一金属化合物设置在所述第一凹坑中并且与所述凸部的上部接触；

第二金属化合物，所述第二金属化合物设置在所述第二凹坑中；

第二半导体层，所述第二半导体层设置在所述第一半导体层上；以及

发光结构，所述发光结构设置在所述第二半导体层上，

其中所述发光结构包括在所述第二半导体层上的第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层上的有源层、以及在所述有源层上的第二导电半导体层。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一半导体层包括分别连接至所述第一凹坑和所述第二凹坑的多个位错。

3.根据权利要求2所述的发光器件，其中连接至所述第一凹坑的所述位错从垂直方向发展至水平方向。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的发光器件，其中所述第一金属化合物和所述第二金属化合物包含绝缘材料。

5.根据权利要求4所述的发光器件，其中所述第一金属化合物和所述第二金属化合物包含含有硅的氮化物或氧化物。

6.根据权利要求4所述的发光器件，其中所述第一金属化合物的下部包括凹曲面。

7.根据权利要求1至3中任一项所述的发光器件，其中所述第一金属化合物的侧表面以与所述第二金属化合物的侧表面的倾角相同的倾角倾斜。

8.根据权利要求1至3中任一项所述的发光器件，其中所述第一金属化合物具有比每个凸部的下部宽度窄的下部宽度。

9.根据权利要求8所述的发光器件，其中每个凸部具有半球形状，并且每个凸部的下部宽度大于每个凸部的高度。

10.根据权利要求1至3中任一项所述的发光器件，其中所述第一半导体层和所述第二半导体层中至少之一包含n型掺杂剂并且具有多层结构。

11.根据权利要求1至3中任一项所述的发光器件，其中所述第二凹坑具有比所述第一凹坑的深度小的深度，并且被置于比所述凸部的位置高的位置处。

12.根据权利要求1至3中任一项所述的发光器件，其中所述第一金属化合物和所述第二金属化合物的顶表面与所述第一半导体层的所述顶表面在同一水平面上对准。

13.根据权利要求12所述的发光器件，还包括在所述衬底和所述第一半导体层之间的缓冲层，

其中所述缓冲层的一部分设置在所述第一金属化合物和所述凸部之间，以及

所述第一金属化合物接触所述缓冲层的所述一部分的周边。

14.根据权利要求12所述的发光器件，还包括在所述凸部中的至少一个凸部与所述第一金属化合物之间的孔。

15.根据权利要求12所述的发光器件，其中所述第二半导体层的顶表面的位错密度比在所述第一半导体层中的位错密度小，并且在1×10⁶cm^-2至1×10⁸cm^-2的范围内。

16.根据权利要求12所述的发光器件，其中所述衬底包含透光材料，

其中多个突起与在所述衬底的下表面之下的所述衬底的所述凸部中的每个凸部相对应，以及

每个第一金属化合物具有比每个第二金属化合物的体积大的体积。

17.根据权利要求12所述的发光器件，其中所述第一金属化合物包括与所述第一半导体层接触的多个倾斜侧表面和与所述凸部的表面接触的凹形底表面。

18.根据权利要求7所述的发光器件，其中所述第一金属化合物的所述侧表面以与所述第一凹坑的侧表面的倾角相同的倾角倾斜。

19.根据权利要求1至3中任一项所述的发光器件，其中所述第一金属化合物的顶表面具有比每个凸部的下部宽度窄的宽度。