[发明专利]发光器件

说明书

技术领域

实施方案涉及发光器件和具有该发光器件的照明装置。

背景技术

第III-V族氮化物半导体由于其物理和化学特性而已经被广泛用作用于发光器件（如发光二极管（LED）或激光二极管（LD））的主要材料。通常，第III-V族氮化物半导体包含具有In_xAl_yGa_1-x-yN（0≤x≤1，0≤y≤1，以及0≤x+y≤1）的组成式的半导体材料。

LED为通过利用化合物半导体的特性将电信号转换成红外线或光来发送/接收信号的半导体器件。LED也被用作光源。

利用氮化物半导体材料的LED或LD主要用于发光器件以提供光。例如，LED或LD被用作用于各种产品（如移动电话的按键发光部分、电子广告牌以及照明装置）的光源。

发明内容

实施方案提供一种发光器件，其包括具有设置在多个凹坑中的金属化合物的半导体层。

实施方案提供一种发光器件，其包括：与衬底的凸部相对应的多个第一凹坑；在第一凹坑之间的第二凹坑；以及具有金属化合物并且设置在第一凹坑和第二凹坑中的半导体层。

实施方案提供一种发光器件，其中设置在半导体层的凹坑中的金属化合物的顶表面被设置在与半导体层的位置相同或比半导体层的位置深的位置。

实施方案提供一种发光器件，其包括设置在半导体层的具有倾斜外周表面的凹坑中的金属化合物。

实施方案提供一种发光器件，其中在半导体层中的第一凹坑的体积大于第二凹坑的体积。

实施方案提供一种包括发光器件的照明装置。

根据实施方案，提供了一种发光器件，其包括：具有多个凸部的衬底；设置在衬底的顶表面上的第一半导体层；设置在第一半导体层的顶表面中并且与凸部重叠的多个第一凹坑；设置在第一半导体层的顶表面中并且设置在凸部之间的区域中的多个第二凹坑；设置在第一凹坑中的与凸部的上部接触的第一金属化合物；设置在第二凹坑中的第二金属化合物；设置在第一半导体层上的第二半导体层；以及设置在第二半导体层上的发光结构，其中该发光结构包括在第二半导体层上的第一导电半导体层、在第一导电半导体层上的有源层以及在有源层上的第二导电半导体层。

根据另一实施方案，提供了一种发光器件，其包括：包含透光材料并且具有多个凸部的衬底；设置在衬底的顶表面上的第一半导体层；设置在第一半导体层的顶表面中并且与凸部重叠的多个第一凹坑；设置在第一半导体层的顶表面中并且设置在凸部之间的区域中的多个第二凹坑；设置在第一凹坑中的与凸部的上部接触的第一金属化合物；设置在第二凹坑中的第二金属化合物；设置在第一半导体层上的第二半导体层；以及设置在第二半导体层上的发光结构，其中该发光结构包括在第二半导体层上的第一导电半导体层、在第一导电半导体层上的有源层以及在有源层上的第二导电半导体层，第一金属化合物和第二金属化合物包含与第一半导体层和第二半导体层的材料不同的材料，并且每个第一金属化合物具有比每个第二金属化合物的体积大的体积。

根据另一实施方案，提供了一种发光器件，其包括：包含透光材料并且具有多个凸部的衬底；从衬底的底表面突出的多个突起；设置在衬底的顶表面上的第一半导体层；设置在第一半导体层的顶表面中以部分变成开放的每个凸部的多个第一凹坑；设置在第一半导体层的顶表面中并且设置在凸部之间的区域中的多个第二凹坑；设置在第一凹坑中的与凸部的上部接触的第一金属化合物；设置在第二凹坑中的第二金属化合物；设置在第一半导体层上的第二半导体层；以及设置在第二半导体层上的发光结构，其中该发光结构包括在第二半导体层上的第一导电半导体层、在第一导电半导体层上的有源层以及在有源层上的第二导电半导体层，第一金属化合物和第二金属化合物包含与第一半导体层和第二半导体层的材料不同的材料，并且每个第一金属化合物具有比每个第二金属化合物的体积大的体积，并且第一金属化合物和第二金属化合物包括具有与第一半导体层的顶表面在同一水平面上对准的水平表面的顶表面和以相同角度倾斜的侧表面。

附图说明

图1是示出根据第一实施方案的发光器件的侧视图。

图2是图1的局部放大视图。

图3是图1的发光器件的俯视图。

图4是示出在制造根据实施方案的发光器件的工艺中、在衬底上形成第一半导体层的实例的截面图。

图5是示出在图4的第一半导体层上形成金属化合物层的实例的截面图。

图6是在对图5的金属化合物层进行蚀刻之后的截面图。