[发明专利]具有内嵌元件及电磁屏障的线路板有效

专利信息
申请号: 201310485264.6 申请日: 2013-10-16
公开(公告)号: CN103779333B 公开(公告)日: 2016-11-30
发明(设计)人: 林文强;王家忠 申请(专利权)人: 钰桥半导体股份有限公司
主分类号: H01L23/552 分类号: H01L23/552
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 汤保平
地址: 中国台湾台北*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 具有 元件 电磁 屏障 线路板
【说明书】:

技术领域

本发明是关于一种具有内嵌元件、及电磁屏障的线路,尤指一种具有屏蔽盖和屏蔽狭槽的线路板,其中,屏蔽盖和屏蔽狭槽可分别做为内嵌元件的水平及垂直屏障。

背景技术

半导体元件易受到电磁干扰(EMI)或是其他内部元件干扰,例如在高频模式操作时的电容、感应、导电耦合等。当半导体芯片为了微型化而与彼此紧密地设置时,这些不良干扰的严重性可能会大幅上升。为了减少电磁干扰,在某些半导体元件及模块上可能需要屏障。

Bolognia等人的美国专利号8,102,032、Pagaila等人的美国专利号8,105,872、Fuentes等人的美国专利号8,093,691、Chi等人的美国专利号8,314,486及美国专利号8,349,658揭示用于半导体元件屏障的各种方法,包括金属罐、线状网(wire fences)、或球状网(ball fences)。上述所有方法皆设计用于组装于基板及屏蔽材料(例如金属罐、金属膜、线状或球状网)上的元件,屏蔽材料皆为外部添加的形式,其需要额外空间,因而增加半导体封装的尺寸及额外耗费。

Ito等人的美国专利号7,929,313、美国专利号7,957,154及美国专利号8,168,893揭露一种使用位于树脂层中的导电盲孔以形成电磁屏障层的方法,该电磁屏障层环绕用于容纳内嵌半导体元件的凹陷部分。此种结构确保在小空间中内嵌元件的优异电性屏蔽,但导电盲孔的深度需要如同半导体元件的厚度,故钻孔及被覆孔洞时受到高纵横比的限制,且仅能容纳一些超薄的元件。此外,由于作为芯片放置区域的凹陷部分是于导电盲孔金属化后形成,因对准性差造成半导体元件错位,进而使此方法在大量制造时产率极低。

发明内容

本发明是有鉴于以上的情形而发展,其目的在于提供一种具有内嵌元件、及电磁屏障的线路,电磁屏障可有效屏蔽内嵌元件免于电磁干扰。据此,本发明提供一种包括半导体元件、核心层、屏蔽狭槽、屏蔽盖、第一增层电路、及选择性地包含第二增层电路的线路板。此外,本发明亦提供另一线路板,其包含半导体元件、核心层、屏蔽狭槽、第一增层电路、及具有屏蔽盖的第二增层电路。

在一较佳实施态样中,屏蔽狭槽及屏蔽盖是与半导体元件的至少一接地接触垫电性连接,且可分别做为半导体元件的水平及垂直屏障。核心层于垂直于该垂直方向的侧面方向侧向覆盖该半导体元件,屏蔽盖于第二垂直方向覆盖半导体元件,第一增层电路及第二增层电路分别白第一及第二垂直方向覆盖半导体元件及核心层。

本发明的线路板可还包括一定位件,其可作为半导体元件的配置导件,该定位件于侧面方向靠近及侧向对准该半导体元件的外围边缘。该定位件可于第一垂直方向接触该第二增层电路的屏蔽盖或绝缘层,及于第一垂直方向自该第二增层电路的屏蔽盖或绝缘层朝延伸,或自该第一增层电路的绝缘层于第二垂直方向延伸。例如,该定位件可自第二增层电路的绝缘层或屏蔽盖于第一垂直方向延伸,并延伸超过该半导体元件的非主动面;或自第一增层电路的绝缘层于第二垂直方向延伸,或延伸超过该半导体元件的主动面。在任何条件下,该定位件是位于半导体元件的外围边缘外,并靠近半导体元件的外围边缘。

该半导体元件包含一具有多个接触垫的主动面、及与该主动面相反的一非主动面。该半导体元件的主动面面朝该第一垂直方向并背向该第二增层电路或屏蔽盖,且该半导体元件的非主动面面朝该第二垂直方向并朝向该第二增层电路或屏蔽盖。该半导体元件可利用一黏着剂固定在第一或第二增层电路上、或设置在屏蔽盖上。

该核心层可接触并环绕该半导体元件的侧壁及该定位件,且与该半导体元件的侧壁及该定位件同形被覆,及自该半导体元件及该定位件侧向延伸至该线路板的外围边缘。该核心层可由预浸材料制成,例如环氧树指、BT、聚酰亚胺及它种树脂或树脂/玻璃复合物。

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