[发明专利]晶片与晶片之间的对准方法

权利要求书

1.晶片与晶片之间的对准方法，步骤包括：

1）在第一层晶片上淀积一层薄氧化层；

2）在第一层晶片上形成对准标记，然后去除薄氧化层；

3）在第一层晶片上淀积高反射率材料，填满对准标记的沟槽；所述高反射率材料的反射率大于硅的反射率；

4）反向刻蚀，去除第一层晶片表面的高反射率材料，只保留对准标记沟槽内的高反射率材料；

5）在第一层晶片上生长一层热氧化层；

6）在第一层晶片上形成后续所需的集成电路图形；

7）将第二层晶片和第一层晶片键合；

8）开启光刻机，用红外线检测第一层晶片上的对准标记，通过光刻在第二层晶片上形成后续所需的集成电路图形。

2.根据权利要求1的方法，其中，步骤1），所述薄氧化层采用物理气相沉积方法淀积。

3.根据权利要求1或2的方法，其中，步骤1），所述薄氧化层的厚度为10～1000微米。

4.根据权利要求1的方法，其中，步骤2），所述对准标记有9组，对准标记的光栅周期为12微米，深度为0.5～100微米。

5.根据权利要求1的方法，其中，步骤3），所述高反射率材料包括钨、铝或铜。

6.根据权利要求1的方法，其中，步骤4），反向刻蚀的刻蚀气体是四氟化碳和纯氧。

7.根据权利要求1的方法，其中，步骤5），所述热氧化层的厚度为5000埃米。

8.根据权利要求1的方法，其中，步骤7），采用硅硅键合。