[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于：包括衬底基板以及依次形成于衬底基板上的栅极金属层、栅绝缘层、有源层、源漏金属层、保护层，以及形成于所述保护层上的像素电极和公共电极；

所述保护层上开设有过孔，所述像素电极通过所述过孔与位于所述源漏金属层中的漏极连接；

所述漏极与所述公共电极在衬底基板的投影至少部分重叠。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于：所述像素电极和所述公共电极同层设置。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于：所述公共电极形成于所述保护层上，所述公共电极上方形成有绝缘层，所述像素电极形成于所述绝缘层上；

所述过孔贯穿所述保护层和所述绝缘层，所述像素电极通过所述过孔与所述漏极连接。

4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于：所述像素电极和所述公共电极均呈狭缝状。

5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于：所述公共电极为板状，所述像素电极为狭缝状。

6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于：所述像素电极形成于所述保护层上，所述像素电极上方形成有绝缘层，所述公共电极形成于所述绝缘层上；

所述过孔贯穿所述保护层，所述像素电极通过所述过孔与所述漏极连接。

7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于：还包括与所述公共电极相连的公共电极线，所述公共电极线位于所述栅极金属层，且所述公共电极线与所述像素电极在衬底基板的投影至少部分重叠。

8.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上依次形成栅极金属层、栅绝缘层、有源层、源漏金属层、保护层的图形；

在所述保护层上，形成包括像素电极和公共电极的图形，其中，所述像素电极通过保护层上开设的过孔与位于所述源漏金属层的漏极连接，所述漏极与所述公共电极在衬底基板的投影至少部分重叠。

9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述形成包括像素电极和公共电极的图形，具体为：

在所述保护层上形成一层透明电极；

通过构图工艺，对所述透明电极进行构图，形成包括像素电极和公共电极的图形。

10.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述形成包括像素电极和公共电极的图形，具体为：

在所述保护层上形成第一层透明电极；

通过构图工艺，对所述第一层透明电极进行构图，形成包括公共电极的图形；

在所述公共电极上形成一层绝缘薄膜；

通过构图工艺，对所述绝缘薄膜进行构图，形成开设有过孔的绝缘层图形；

在所述绝缘层上形成第二层透明电极；

通过构图工艺，对所述第二层透明电极进行构图，形成包括像素电极的图形；或者

在所述保护层上形成第一层透明电极；

通过构图工艺，对所述第一层透明电极进行构图，形成包括像素电极的图形；

在所述像素电极上形成一层绝缘薄膜；

在所述绝缘层上形成第二层透明电极；

通过构图工艺，对所述第二层透明电极进行构图，形成包括公共电极的图形。

11.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述在衬底基板上依次形成栅极金属层、栅绝缘层、有源层、源漏金属层、保护层的图形，具体为：

在衬底基板上，通过第一次构图工艺形成栅极金属层的图形；

在完成上述步骤的基础上，通过第二次构图工艺形成栅绝缘层的图形；

在完成上述步骤的基础上，通过第三次构图工艺形成有源层的图形；

在完成上述步骤的基础上，通过第四次构图工艺形成源漏金属层的图形；

在完成上述步骤的基础上，通过第五次构图工艺形成保护层的图形。