[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及其制造方法、显示装置。

背景技术

随着显示技术的不断发展，薄膜晶体管液晶显示器（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT-LCD）由于具有体积小、功耗低、无辐射等优点，在平板显示领域中占据了主导地位。其中，高级超维场转换（Advanced super Dimension Switch，ADSDS）型TFT-LCD采用水平电场来驱动液晶，因其具有宽视角、高开口率、高透过率等优点而被广泛的应用。

目前，在ADSDS型液晶显示器的阵列基板上，都是在栅极金属层形成公共电极线，且公共电极线与像素电极在基板的投影部分重叠，该重叠部分即可形成存储电容，以保持像素电极与公共电极之间的电压差。

本发明人在实现本发明的过程中发现，现有技术至少存在以下问题：现有的公共电极线与像素电极之间隔有栅绝缘层和保护层，因此公共电极线与像素电极之间的间距较大，所形成的存储电容较小，不利于画面的保持，导致显示效果较差的技术问题。

发明内容

本发明实施例提供了一种阵列基板及其制造方法，以及设有该阵列基板的显示装置，解决了现有的ADSDS型液晶显示器的存储电容较小，不利于画面的保持，导致显示效果较差的技术问题。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

本发明提供一种阵列基板，包括衬底基板以及依次形成于衬底基板上的栅极金属层、栅绝缘层、有源层、源漏金属层、保护层，以及位于所述保护层上的像素电极和公共电极；

所述保护层上开设有过孔，所述像素电极通过所述过孔与位于所述源漏金属层的漏极连接；

所述漏极与所述公共电极在衬底基板的投影至少部分重叠。

优选的，所述像素电极和所述公共电极同层设置。

优选的，所述像素电极和所述公共电极均呈狭缝状。

在另一实施方式中，所述公共电极形成于所述保护层上，所述公共电极上方形成有绝缘层，所述像素电极形成于所述绝缘层上；

所述过孔贯穿所述保护层和所述绝缘层，所述像素电极通过所述过孔与所述漏极连接。

优选的，所述公共电极为板状，所述像素电极为狭缝状。。

在另一实施方式中，所述像素电极形成于所述保护层上，所述像素电极上方形成有绝缘层，所述公共电极形成于所述绝缘层上；

所述过孔贯穿所述保护层，所述像素电极通过所述过孔与所述漏极连接。进一步，该阵列基板还包括与所述公共电极相连的公共电极线，所述公共电极线位于所述栅极金属层，且所述公共电极线与所述像素电极在衬底基板的投影至少部分重叠。

本发明还提供一种阵列基板的制造方法，包括：

在衬底基板上依次形成栅极金属层、栅绝缘层、有源层、源漏金属层、保护层的图形；

在所述保护层上，形成包括像素电极和公共电极的图形，其中，所述像素电极通过所述保护层上开设的过孔与位于所述源漏金属层的漏极连接，所述漏极与所述公共电极在衬底基板的投影至少部分重叠。

其中，所述形成包括像素电极和公共电极的图形，具体为：

在所述保护层上形成一层透明电极；

通过构图工艺，对所述透明电极进行构图，形成包括像素电极和公共电极的图形。

在另一实施方式中，所述形成包括像素电极和公共电极的图形，具体为：

在所述保护层上形成第一层透明电极；

通过构图工艺，对所述第一层透明电极进行构图，形成包括公共电极的图形；

在所述公共电极上形成一层绝缘薄膜；

通过构图工艺，对所述绝缘薄膜进行构图，形成开设有过孔的绝缘层图形；

在所述绝缘层上形成第二层透明电极；

通过构图工艺，对所述第二层透明电极进行构图，形成包括像素电极的图形；或者

在所述保护层上形成第一层透明电极；

通过构图工艺，对所述第一层透明电极进行构图，形成包括像素电极的图形；

在所述像素电极上形成一层绝缘薄膜；

在所述绝缘层上形成第二层透明电极；

通过构图工艺，对所述第二层透明电极进行构图，形成包括公共电极的图形。

其中，在衬底基板上依次形成栅极金属层、栅绝缘层、有源层、源漏金属层、保护层的图形，具体为：

在衬底基板上，通过第一次构图工艺形成栅极金属层的图形；

在完成上述步骤的基础上，通过第二次构图工艺形成栅绝缘层的图形；