[发明专利]薄膜型气敏元件的制备方法

权利要求书

1.一种薄膜型气敏元件的制备方法，其特征在于采用以下步骤：（1）按照NiFe₂O₄的化学计量比，配制硝酸铁和硝酸镍的混合溶液；（2）采用浓氨水为沉淀剂，逐滴加入到混合溶液中，直至混合溶液pH值为11-12，将Fe³⁺和Ni²⁺完全沉淀；（3）将混合溶液移入聚四氟乙烯内衬反应釜，在220℃下保温6-10小时，生成NiFe₂O₄纳米粉体；（4）将所得粉体用1M盐酸浸泡后，再加热去除HCl；然后用去离子水洗涤剩余物至中性，再加入步骤（3）获得的NiFe₂O₄纳米粉体质量10-40%的PAA，70℃下搅拌1小时，生成NiFe₂O₄/PAA磁性纳米复合粉体，再用用无水乙醇清洗2-3次；（5）将清洗后的磁性纳米复合粉体制成质量浓度不大于1%的悬浮液，滴在叉指电极基片上，在磁感应强度为0.05-0.2T的交变磁场的作用下干燥；（6）将干燥后的叉指电极放入电阻炉内，先200℃保温一小时，再在400-600℃下保温一小时；（7）反复进行步骤（5）和步骤（6）4-10次，得到大孔隙结构的薄膜型气敏元件。

2.如权利要求1所述的一种薄膜型气敏元件的制备方法，其特征在于：步骤（5）中，叉指电极基片的放置方式平行于磁力线方向，交变磁场作用至液滴完全干燥。

3.如权利要求1所述的一种薄膜型气敏元件的制备方法，其特征在于：步骤（5）中，叉指电极基片的放置方式垂直于磁力线方向，交变磁场作用至液滴完全干燥。

4.如权利要求1所述的一种薄膜型气敏元件的制备方法，其特征在于：步骤（7）中，每重复一次步骤（5），叉指电极基片要在基片所在平面内旋转90°。