[发明专利]薄膜型气敏元件的制备方法无效

专利信息
申请号: 201310488778.7 申请日: 2013-10-17
公开(公告)号: CN103529080A 公开(公告)日: 2014-01-22
发明(设计)人: 张磊;焦万丽 申请(专利权)人: 山东理工大学
主分类号: G01N27/00 分类号: G01N27/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 255086 山东省淄博市*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 薄膜 型气敏 元件 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种薄膜型气敏元件的制备方法,属于传感器技术领域。

背景技术

气敏传感器是识别气体种类并将其转变为电信号的器件,是气体定量或半定量检测、泄漏报警、控制的理想探头。目前,厚膜烧结型半导体电阻式气敏传感器虽然已经得到了广泛的应用,但其存在工作温度高、选择性差、使用寿命短等缺点。随着科学技术的不断进步,气敏传感器也朝着微型化、集成化、多功能化的趋势发展。加之薄膜材料表面积与体积之比很大,具有显著的表面效应,所以气敏材料的薄膜化已成为气敏传感器的发展方向。由于气体主要是在材料表面发生吸附与脱附,气敏薄膜的气敏性能与纳米粒子以及薄膜结构有很大关系,所以增大与待测气体的接触面积,是决定气敏薄膜气敏性能的关键。

除了致密膜以外,还出现了一定孔隙度的薄膜,这类薄膜基本上分为两类。一是成膜的颗粒本身具有一定的孔隙度,成膜后在整个膜内形成一定程度的通孔;另一种是由具有一定长径比的规则粒子相互搭叠,使形成的薄膜具有一定的孔隙度。这两种薄膜和传统的薄膜有了根本区别,在理论上可以增大和待测气体的接触面积,提高灵敏度。但实际应用中却不尽人意,因为待测气体的浓度一般都较小,所形成的气体分压也较低,在向薄膜中渗透的过程中显得动力有限;同时薄膜的孔隙度本身有限,对待测气体的渗透存在较大的阻力。待测气体向膜内渗透同样局限于薄膜的表层。要想改变这一状况,获得大孔隙度的图案化阵列结构的薄膜是关键。

目前采用磁性纳米粒子制备磁性有序纳米结构是一种具有良好前景的获得大孔隙度的图案化阵列结构的途径。在这方面有平板印刷术和自组装法。基于平板印刷术来获得有序纳米结构取得了不错的成绩而且已经实用化,但昂贵的设备、复杂的工艺流程和较低的分辨率是制约其进一步发展的瓶颈。利用各种自组装技术来获得有序纳米结构受到了各国研究人员的广泛关注。研究比较多的为模板诱导组装法和蒸发溶剂组装法。模板法可以有效排除磁性材料自身的磁相互作用引起的团聚现象,但如何利用和设计模板一直是研究的难点,模板法常用来制备磁性纳米一维有序阵列结构。在蒸发溶剂组装法中,粒子间的斥力和不可逆聚合力应在一定范围之内,但是磁性纳米结构材料往往由于自身磁偶极子的相互作用而产生团聚,很难通过化学合成的方法获得稳定的有序纳米磁性结构材料,同时单调的有序孔洞结构在调节材料的磁性能方面也差强人意。因此,能有效获得磁性纳米粒子阵列结构的方法成为制备大孔隙度气敏薄膜传感器的关键。

发明内容

本发明的目的是提供一种能满足上述需求、高灵敏度的薄膜型气敏元件的制备方法。其技术方案为:

一种薄膜型气敏元件的制备方法,其特征在于采用以下步骤:(1)按照NiFe2O4的化学计量比,配制硝酸铁和硝酸镍的混合溶液;(2)采用浓氨水为沉淀剂,逐滴加入到混合溶液中,直至混合溶液pH值为11-12,将Fe3+和Ni2+完全沉淀;(3)将混合溶液移入聚四氟乙烯内衬反应釜,在220℃下保温6-10小时,生成NiFe2O4纳米粉体;(4)将所得粉体用1M盐酸浸泡后,再加热去除HCl;然后用去离子水洗涤剩余物至中性,再加入步骤(3)获得的NiFe2O4纳米粉体质量10-40%的PAA,70℃搅拌1小时,生成NiFe2O4/PAA磁性纳米复合粉体,再用用无水乙醇清洗2-3次;(5)将清洗后的磁性纳米复合粉体制成质量浓度不大于1%的悬浮液,滴在叉指电极基片上,在磁感应强度为0.05-0.2T的交变磁场的作用下干燥;(6)将干燥后的叉指电极放入电阻炉内,先200℃保温一小时,再在400-600℃下保温一小时;(7)反复进行步骤(5)和步骤(6)4-10次,得到大孔隙结构的薄膜型气敏元件。

所述的一种薄膜型气敏元件的制备方法,步骤(5)中,叉指电极基片的放置方式平行于磁力线方向,交变磁场作用至液滴完全干燥。

所述的一种薄膜型气敏元件的制备方法,步骤(5)中,叉指电极基片的放置方式垂直于磁力线方向,交变磁场作用至液滴完全干燥。

所述的一种薄膜型气敏元件的制备方法,步骤(7)中,每重复一次步骤(5),叉指电极基片要在基片所在平面内旋转90°。

本发明与现有技术相比,其优点是:

1.将交变磁场引入磁性纳米粒子的图案化结构的实现过程,利用交流磁场磁力线的自我强化效果,使得在较小的磁场强度的情况下获得较好的效果。

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