[发明专利]一种激光切割硅片的方法无效
申请号: | 201310489125.0 | 申请日: | 2013-10-18 |
公开(公告)号: | CN103586587A | 公开(公告)日: | 2014-02-19 |
发明(设计)人: | 乔金彪 | 申请(专利权)人: | 苏州斯尔特微电子有限公司 |
主分类号: | B23K26/38 | 分类号: | B23K26/38;B23K26/142;B23K26/146;B23K26/60;B23K26/70 |
代理公司: | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人: | 董建林 |
地址: | 215153 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 激光 切割 硅片 方法 | ||
1.一种激光切割硅片的方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1:将硅片贴在蓝膜上;
S2:贴片后进行烘烤加强蓝膜和硅片的牢固度,制得待切割工件;
S3:将待切割工件固定在硅片激光切割机上进行切割,同时切割刀旁边的喷嘴向切割点区域喷射冷却水和工业清洗剂,制得干净的硅片。
2.根据权利要求1所述的一种激光切割硅片的方法,其特征在于,在步骤S3中,所述工业清洗剂中还包括工业润滑剂。
3.根据权利要求1所述的一种激光切割硅片的方法,其特征在于,在步骤S1和S2之间还包括步骤S4:检查硅片和蓝膜之间是否有气泡,如果没有气泡,进入步骤S2。
4.根据权利要求1或2或3所述的一种激光切割硅片的方法,其特征在于,所述硅片厚度在200-400微米之间。
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