[发明专利]玻璃层叠体的制造方法以及电子元件的制造方法有效
申请号: | 201310489366.5 | 申请日: | 2013-10-18 |
公开(公告)号: | CN103770401A | 公开(公告)日: | 2014-05-07 |
发明(设计)人: | 内田大辅;小金泽光司;日野有一;角田纯一 | 申请(专利权)人: | 旭硝子株式会社 |
主分类号: | B32B17/00 | 分类号: | B32B17/00;B32B7/06;G02F1/1333;G09F9/00;G09F9/30 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 玻璃 层叠 制造 方法 以及 电子元件 | ||
技术领域
本发明涉及具有玻璃基板的玻璃层叠体的制造方法以及采用了利用该玻璃层叠体的制造方法制造的玻璃层叠体的电子元件的制造方法。
背景技术
近年来,太阳能电池(PV)、液晶面板(LCD)、有机EL面板(OLED)等元件(电子设备)的薄型化、轻量化正在推进,从而这些元件所使用的玻璃基板的薄板化的趋势也正在推进。当因薄板化而导致玻璃基板的强度不足时,在元件的制造工序中会使玻璃基板的处理性降低。
因此,以往广泛地采用了如下方法:在厚度比最终厚度厚的玻璃基板上形成了元件用构件(例如薄膜晶体管)之后,利用化学蚀刻处理使玻璃基板薄板化。但是,在该方法中,例如在将一块玻璃基板的厚度从0.7mm薄板化至0.2mm或0.1mm的情况下,是利用蚀刻液将原始玻璃基板的材料的大半部分刮掉来进行的,因此,从生产率、原材料的使用效率这样的观点考虑,并不优选。
而且,在上述的利用化学蚀刻的玻璃基板薄板化的方法中,在玻璃基板表面存在细微的伤痕的情况下,会出现如下情况:因进行蚀刻处理而会以伤痕为起点形成细微的凹坑(蚀坑),从而成为光学上的缺陷。
最近,为了应对上述问题而提出了如下方法:准备将玻璃基板和加强板层叠起来而成的玻璃层叠体,在玻璃层叠体的玻璃基板上形成了显示装置等电子元件用构件之后,将加强板从玻璃层叠体分离,从而获得电子元件(例如参照专利文献1、专利文献2)。加强板具有支承基板和固定在该支承基板上的树脂层,树脂层与玻璃基板可剥离地密合。玻璃层叠体的树脂层与玻璃基板之间的界面能够被剥离,自玻璃基板分离后的加强板能够与新的玻璃基板层叠,并作为玻璃层叠体再次利用。
特别是在专利文献2的实施例中公开了如下主旨:使用包含规定的聚有机硅氧烷、铂催化剂、反应抑制剂(HC≡C-C(CH3)2-O-Si(CH3)3)、以及溶剂(正庚烷)的组合物来形成树脂层。
专利文献1:国际公开第07/018028号
专利文献2:日本特开2011-46174号公报
发明内容
发明要解决的问题
本发明人根据专利文献1和专利文献2所述的方法使用上述组合物制造了玻璃层叠体,但存在这样的情况:在树脂层与玻璃基板之间含有气泡(空隙)。本发明人针对该原因进一步进行了研究,发现该情况主要是因树脂层表面的凹凸引起的。
近年来,伴随着电子元件的高性能化的要求,正推进电子元件用构件的进一步细微化,从而实施的工序更加繁杂化。在这样的状况下也要求以较高的生产率制造性能优异的电子元件。
在使用专利文献1和专利文献2所述的玻璃层叠体制造电子元件时,导电层等功能层形成在玻璃层叠体中的玻璃基板的露出表面上。此时,使用抗蚀液等各种溶液,但是,当在树脂层与玻璃基板之间存在空隙时,在逐渐反复进行输送、加热处理等的过程中,空隙会扩大,各种溶液会因毛细现象而进入空隙。进入空隙中的材料即使通过清洗也难以去除,在干燥后容易作为异物而残留。该异物因加热处理等而成为污染电子元件用构件的污染源,因此,可能会降低电子元件的性能或者降低成品率。
本发明即是鉴于上述问题而做成的,其目的在于,提供一种抑制了在树脂层与玻璃基板之间产生空隙、具有平坦性优异的树脂层的玻璃层叠体的制造方法。
而且,本发明的目的还在于,提供一种采用了利用该玻璃层叠体的制造方法制造的玻璃层叠体的电子元件的制造方法。
用于解决问题的方案
本发明人为了解决上述问题而进行了锐意研究,结果发现,通过将形成树脂层的组合物中所含的反应抑制剂的沸点和溶剂的沸点控制为规定的关系,并且分两个阶段去除反应抑制剂和溶剂,从而能够解决上述问题。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旭硝子株式会社,未经旭硝子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310489366.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。