[发明专利]晶圆缺陷分析系统

权利要求书

1.一种晶圆缺陷分析系统，其特征在于，包括：

晶圆缺陷扫描库，用于存储设定时间内的晶圆扫描机台扫描的晶圆的缺陷扫描图，所述晶圆至少包括两个批次的晶圆；

缺陷位置获取单元，用于基于所述缺陷扫描图获得缺陷的位置信息，并且对所述位置信息进行排序，所述位置信息包括横坐标和纵坐标；

缺陷位置匹配单元，用于对一个晶圆的缺陷扫描图中的一个缺陷的位置信息与另一个晶圆的缺陷扫描图的一个缺陷的位置信息进行匹配，并且基于匹配结果标记匹配组；所述匹配包括:将一个晶圆的一个缺陷的位置信息的横坐标与另一个晶圆的一个缺陷的位置信息相减，获得横坐标差值；以及将一个晶圆的纵坐标与另一个晶圆的纵坐标相减，获得纵坐标差值，若所述横坐标差值和纵坐标差值的绝对值均在坐标容忍值之内，则将所述一个晶圆的缺陷扫描图中的一个缺陷与所述另一个晶圆的缺陷扫描图的一个位置缺陷标记为一个缺陷组；

缺陷组分析单元，用于基于所述缺陷位置匹配单元获得的缺陷组获得该缺陷组的位置信息，所述缺陷组的位置信息包括：缺陷组的横坐标和缺陷组的纵坐标，缺陷组的横坐标为所述缺陷组的两个缺陷的横坐标的平均值，所述缺陷组的纵坐标为所述缺陷组的两个缺陷的纵坐标的平均值；

缺陷组关联性分析单元，用于对两个晶圆之间的缺陷组的位置信息进行关联性分析，所述关联性分析包括：获得两个晶圆之间的缺陷组的位置信息的横坐标的差值和纵坐标的差值，若所述差值的绝对值小于容许关联值，则认为两个晶圆之间的缺陷组存在关联性；

缺陷标记单元，用于基于缺陷组关联性分析单元之间的关联性分析结果，将存在关联性的缺陷组涉及的缺陷组对应的每一个晶圆的缺陷在缺陷扫描图高亮标出。

2.如权利要求1所述的晶圆缺陷分析系统，其特征在于，所述设定时间为0.5-5小时。

3.如权利要求1所述的晶圆缺陷分析系统，其特征在于，所述位置信息的坐标系的零点为晶圆的圆心。

4.如权利要求1所述的晶圆缺陷分析系统，其特征在于，所述坐标容忍值为2-8微米。

5.如权利要求1所述的晶圆缺陷分析系统，其特征在于，所述容许关联值为2-8微米。

6.如权利要求1所述的晶圆缺陷分析系统，其特征在于，所述缺陷关联组分析单元还用于在一个晶圆的一个缺陷与另一个晶圆的多个缺陷都能够形成匹配组时，基于筛选原则从所述另一个晶圆的多个缺陷中选择一个缺陷与所述一个晶圆的一个缺陷形成匹配组。