[发明专利]晶圆缺陷分析系统

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术制造技术领域，特别涉及晶圆缺陷分析系统。

背景技术

目前，半导体制造业由于某些工艺机台的工艺时间很短，一旦出现由于机台异常造成工艺偏差的情况，很容易造成大量晶圆出现特定相同位置的缺陷，即连续通过此工艺机台的晶圆都会在同一位置产生缺陷。比如光刻机的单点失焦缺陷、晶圆支撑柱偏差造成的色差缺陷等等。这些工艺偏差机台往往在初期产生的缺陷晶圆上不易被发现，在持续一段时间后，持续影响大量晶圆，直到缺陷数量和影响范围慢慢变大才会被发现。现有技术通常是派遣工程师每隔一段时间对扫描过的全部晶圆进行一次检查，找出其中可能存在的特定相同位置缺陷的情况，由于是人工判断和人工操作，一是费时费力，二是容易出错。

因此，有必要提供一种晶圆缺陷分析系统，对晶圆缺陷进行分析。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种晶圆缺陷分析系统，能够对晶圆缺陷扫描图能够分析，将存在关联性的缺陷高亮标出，便于对晶圆特定位置相同缺陷的情况进行及时的排查。

为解决上述问题，本发明一种晶圆缺陷分析系统，包括：

晶圆缺陷扫描库，用于存储设定时间内的晶圆扫描机台扫描的晶圆的缺陷扫描图，所述晶圆至少包括两个批次的晶圆；

缺陷位置获取单元，用于基于所述缺陷扫描图获得缺陷的位置信息，并且对所述位置信息进行排序，所述位置信息包括横坐标和纵坐标；

缺陷位置匹配单元，用于对一个晶圆的缺陷扫描图中的一个缺陷的位置信息与另一个晶圆的缺陷扫描图的一个缺陷的位置信息进行匹配，并且基于匹配结果标记匹配组；所述匹配包括:将一个晶圆的一个缺陷的位置信息的横坐标与另一个晶圆的一个缺陷的位置信息相减，获得横坐标差值；以及将一个晶圆的纵坐标与另一个晶圆的纵坐标相减，获得纵坐标差值，若所述横坐标差值和纵坐标差值的绝对值均在坐标容忍值之内，则将所述一个晶圆的缺陷扫描图中的一个缺陷与所述另一个晶圆的缺陷扫描图的一个位置缺陷标记为一个缺陷组；

缺陷组分析单元，用于基于所述缺陷位置匹配单元获得的缺陷组获得该缺陷组的位置信息，所述缺陷组的位置信息包括：缺陷组的横坐标和缺陷组的纵坐标，缺陷组的横坐标为所述缺陷组的两个缺陷的横坐标的平均值，所述缺陷组的纵坐标为所述缺陷组的两个缺陷的纵坐标的平均值；

缺陷组关联性分析单元，用于对两个晶圆之间的缺陷组的位置信息进行关联性分析，所述关联性分析包括：获得两个晶圆之间的缺陷组的位置信息的横坐标的差值和纵坐标的差值，若所述差值的绝对值小于容许关联值，则认为两个晶圆之间的缺陷组存在关联性；

缺陷标记单元，用于基于缺陷组关联性分析单元之间的关联性分析结果，将存在关联性的缺陷组涉及的缺陷组对应的每一个晶圆的缺陷在缺陷扫描图中高亮显示。

可选地，所述设定时间为0.5-5小时。

可选地，所述位置信息的坐标系的零点为晶圆的圆心。

可选地，所述坐标容忍值为2-8微米。

可选地，所述容许关联值为2-8微米。

可选地，所述缺陷关联组分析单元还用于在一个晶圆的一个缺陷与另一个晶圆的多个缺陷都能够形成匹配组时，基于筛选原则从所述另一个晶圆的多个缺陷中选择一个缺陷与所述一个晶圆的一个缺陷形成匹配组。

与现有技术相比，本发明具有以下优点：

提供一种晶圆缺陷分析系统，能够对晶圆缺陷扫描图能够分析，将存在关联性的缺陷高亮标出，便于对晶圆特定位置相同缺陷的情况进行及时的排查，节约人力和时间。

附图说明

图1是本发明的晶圆缺陷分析系统结构示意图。

具体实施方式

本发明解决的问题是提供一种晶圆缺陷分析系统，能够对晶圆缺陷扫描图能够分析，将存在关联性的缺陷高亮标出，便于对晶圆特定位置相同缺陷的情况进行及时的排查。

为解决上述问题，本发明一种晶圆缺陷分析系统，包括：

晶圆缺陷扫描库，用于存储设定时间内的晶圆扫描机台扫描的晶圆的缺陷扫描图，所述晶圆至少包括两个批次的晶圆；

缺陷位置获取单元，用于基于所述缺陷扫描图获得缺陷的位置信息，并且对所述位置信息进行排序，所述位置信息包括横坐标和纵坐标；