[发明专利]OLED背板及其制作方法有效
申请号: | 201310492625.X | 申请日: | 2013-10-18 |
公开(公告)号: | CN103500731A | 公开(公告)日: | 2014-01-08 |
发明(设计)人: | 姜春生;方婧斐;刘威 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L51/56;H01L27/32 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 背板 及其 制作方法 | ||
1.一种OLED背板的制作方法,其特征在于,包括:
在基板上形成包括TFT的图形;
在包括所述TFT图形的基板上形成钝化层;
在包括所述钝化层的基板上形成彩膜;
在包括所述彩膜的基板上形成树脂层;
在包括所述树脂层的基板上对每个子像素中第一区域的树脂层进行重掺杂,使所述第一区域中的树脂层具有导电性,所述第一区域包括钝化层过孔区域、像素电极区域以及所述钝化层过孔区域和像素电极区域之间的连通区域,所述钝化层过孔区域为所述TFT的漏极所在位置;
在包括所述对第一区域的树脂层进行重掺杂后的基板上依次形成有机发光层和阴极。
2.根据权利要求1所述的OLED背板的制作方法,其特征在于,
所述在包括所述彩膜的基板上形成树脂层包括:
在包括所述彩膜的基板上沉积树脂材料;
通过半色调曝光对所述像素电极区域的树脂材料进行浅曝光,通过半色调曝光对所述钝化层过孔区域及其周围区域的树脂材料进行深曝光。
3.根据权利要求1或2所述的OLED背板的制作方法,其特征在于,
所述在包括所述彩膜的基板上形成树脂层之前,还包括:
在所述钝化层上的所述钝化层过孔区域通过构图工艺形成钝化层过孔。
4.根据权利要求1所述的OLED背板的制作方法,其特征在于,
所述在包括所述彩膜的基板上形成树脂层包括:
在包括所述彩膜的基板上沉积树脂材料;
通过半色调曝光对所述像素电极区域的树脂材料进行浅曝光,通过半色调曝光对所述钝化层过孔区域周围的树脂材料进行深曝光,对所述钝化层过孔区域的树脂材料进行完全曝光。
5.根据权利要求1所述的OLED背板的制作方法,其特征在于,
所述对所述钝化层过孔区域的树脂材料进行完全曝光之后,还包括:
在所述钝化层上的所述钝化层过孔区域通过构图工艺形成钝化层过孔。
6.根据权利要求1所述的OLED背板的制作方法,其特征在于,
所述在包括所述树脂层的基板上对每个子像素中第一区域的树脂层进行重掺杂的过程包括:
在包括所述树脂层的基板上对每个子像素中第一区域的树脂层进行离子注入;
对所述进行离子注入后的树脂层进行固化处理。
7.根据权利要求6所述的OLED背板的制作方法,其特征在于,
所述进行离子注入的离子源为金属元素、磷烷或硼烷。
8.一种OLED背板,包括基板,设置于所述基板上的TFT,覆盖于所述TFT上的钝化层,所述钝化层上设置有钝化层过孔,所述钝化层过孔位于所述TFT的漏极所在位置,设置于所述钝化层上的彩膜,其特征在于,还包括:
覆盖于所述钝化层和彩膜上的树脂层;
所述基板包括矩阵分布的多个子像素,每个子像素包括第一区域,所述第一区域包括像素电极区域、钝化层过孔区域以及所述钝化层过孔区域和像素电极区域之间的连通区域,所述第一区域中的树脂层为经过重掺杂的导电区域,所述经过重掺杂的树脂层通过所述钝化层过孔与所述TFT的漏极连接;
设置于所述树脂层上的有机发光层;
设置于所述有机发光层上的阴极。
9.根据权利要求8所述的OLED背板,其特征在于,
所述像素电极区域的树脂层厚度大于第二区域的树脂层厚度,所述第二区域包括所述钝化层过孔区域及其周围区域;
除所述像素电极区域和所述第二区域以外的树脂层厚度大于所述像素电极区域的树脂层厚度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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