[发明专利]一种根据写数据改变电源供电的亚阈值存储单元有效

专利信息
申请号: 201310494100.X 申请日: 2013-10-21
公开(公告)号: CN103578529A 公开(公告)日: 2014-02-12
发明(设计)人: 温亮;李毅;曾晓洋 申请(专利权)人: 复旦大学
主分类号: G11C11/413 分类号: G11C11/413
代理公司: 上海正旦专利代理有限公司 31200 代理人: 陆飞;盛志范
地址: 200433 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 根据 数据 改变 电源 供电 阈值 存储 单元
【权利要求书】:

1. 一种根据写数据改变电源供电的亚阈值存储单元,其特征在于包括:

一对虚拟电源供电的交叉耦合反相器构成存储单元的存储核心;其中,两首尾相连的一对反相器的电源线VDD与虚拟电源结点相连,第一反相器的输出和输入或第二反相器2的输入和输出为存储单元的两个存储结点;

一个为虚拟电源供电的PMOS管,其栅极与写位线相连,源极与电源线VDD相连,漏极与虚拟电源结点相接;

三个负载写操作的写晶体管NMOS管;其中,第一写晶体管的漏极与第一反相器的输出相连,源极与写位线相连,栅极与写字线相接;第二写晶体管的漏极与第一反相器的输入相连,源极与第三写晶体管的漏极相连,栅极同样与写字线相接;第三反相器的漏极与第二反相器的源极相连,源极接地,栅极由写位线控制;

 一对堆叠的读晶体管NMOS管;其中,第一读晶体管的漏极与读位线相连,源极与第二读晶体管的漏极相连,栅极由读字线控制;第二读晶体管的漏极与第一读晶体管的源极相连,源极接地,栅极与其中一个存储结点相接。

2. 根据权利要求1所述的亚阈值存储单元,其特征在于:当存储单元进行写“0”操作时,虚拟电源供电管导通,虚拟电源结点的电压为VDD,数据通过第一个写晶体管写入存储单元。

3. 根据权利要求1所述的亚阈值存储单元,其特征在于:当存储单元进行写“1”操作时,虚拟电源供电管关闭,虚拟电源结点处于浮空状态,数据通过三个写晶体管写入存储单元;其中,第一个写晶体对其中一个存储结点充电,第二个写晶体和第三个写晶体管对另一个结点进行放电;待写操作结束后,电源重新供电,新的高电平存储结点的电压被补充于VDD。

4. 根据权利要求1所述的亚阈值存储单元,其特征在于:数据通过堆叠的读晶体管将数据输出至读位线。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于复旦大学,未经复旦大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310494100.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top