[发明专利]一种根据写数据改变电源供电的亚阈值存储单元有效
申请号: | 201310494100.X | 申请日: | 2013-10-21 |
公开(公告)号: | CN103578529A | 公开(公告)日: | 2014-02-12 |
发明(设计)人: | 温亮;李毅;曾晓洋 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
主分类号: | G11C11/413 | 分类号: | G11C11/413 |
代理公司: | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人: | 陆飞;盛志范 |
地址: | 200433 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 根据 数据 改变 电源 供电 阈值 存储 单元 | ||
1. 一种根据写数据改变电源供电的亚阈值存储单元,其特征在于包括:
一对虚拟电源供电的交叉耦合反相器构成存储单元的存储核心;其中,两首尾相连的一对反相器的电源线VDD与虚拟电源结点相连,第一反相器的输出和输入或第二反相器2的输入和输出为存储单元的两个存储结点;
一个为虚拟电源供电的PMOS管,其栅极与写位线相连,源极与电源线VDD相连,漏极与虚拟电源结点相接;
三个负载写操作的写晶体管NMOS管;其中,第一写晶体管的漏极与第一反相器的输出相连,源极与写位线相连,栅极与写字线相接;第二写晶体管的漏极与第一反相器的输入相连,源极与第三写晶体管的漏极相连,栅极同样与写字线相接;第三反相器的漏极与第二反相器的源极相连,源极接地,栅极由写位线控制;
一对堆叠的读晶体管NMOS管;其中,第一读晶体管的漏极与读位线相连,源极与第二读晶体管的漏极相连,栅极由读字线控制;第二读晶体管的漏极与第一读晶体管的源极相连,源极接地,栅极与其中一个存储结点相接。
2. 根据权利要求1所述的亚阈值存储单元,其特征在于:当存储单元进行写“0”操作时,虚拟电源供电管导通,虚拟电源结点的电压为VDD,数据通过第一个写晶体管写入存储单元。
3. 根据权利要求1所述的亚阈值存储单元,其特征在于:当存储单元进行写“1”操作时,虚拟电源供电管关闭,虚拟电源结点处于浮空状态,数据通过三个写晶体管写入存储单元;其中,第一个写晶体对其中一个存储结点充电,第二个写晶体和第三个写晶体管对另一个结点进行放电;待写操作结束后,电源重新供电,新的高电平存储结点的电压被补充于VDD。
4. 根据权利要求1所述的亚阈值存储单元,其特征在于:数据通过堆叠的读晶体管将数据输出至读位线。
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