[发明专利]一种根据写数据改变电源供电的亚阈值存储单元

权利要求书

1. 一种根据写数据改变电源供电的亚阈值存储单元，其特征在于包括：

一对虚拟电源供电的交叉耦合反相器构成存储单元的存储核心；其中，两首尾相连的一对反相器的电源线VDD与虚拟电源结点相连，第一反相器的输出和输入或第二反相器2的输入和输出为存储单元的两个存储结点；

一个为虚拟电源供电的PMOS管，其栅极与写位线相连，源极与电源线VDD相连，漏极与虚拟电源结点相接；

三个负载写操作的写晶体管NMOS管；其中，第一写晶体管的漏极与第一反相器的输出相连，源极与写位线相连，栅极与写字线相接；第二写晶体管的漏极与第一反相器的输入相连，源极与第三写晶体管的漏极相连，栅极同样与写字线相接；第三反相器的漏极与第二反相器的源极相连，源极接地，栅极由写位线控制；

 一对堆叠的读晶体管NMOS管；其中，第一读晶体管的漏极与读位线相连，源极与第二读晶体管的漏极相连，栅极由读字线控制；第二读晶体管的漏极与第一读晶体管的源极相连，源极接地，栅极与其中一个存储结点相接。

2. 根据权利要求1所述的亚阈值存储单元，其特征在于：当存储单元进行写“0”操作时，虚拟电源供电管导通，虚拟电源结点的电压为VDD，数据通过第一个写晶体管写入存储单元。

3. 根据权利要求1所述的亚阈值存储单元，其特征在于：当存储单元进行写“1”操作时，虚拟电源供电管关闭，虚拟电源结点处于浮空状态，数据通过三个写晶体管写入存储单元；其中，第一个写晶体对其中一个存储结点充电，第二个写晶体和第三个写晶体管对另一个结点进行放电；待写操作结束后，电源重新供电，新的高电平存储结点的电压被补充于VDD。

4. 根据权利要求1所述的亚阈值存储单元，其特征在于：数据通过堆叠的读晶体管将数据输出至读位线。