[发明专利]半导体封装件及其制法

权利要求书

1.一种半导体封装件的制法，包括：

通过粘着层将具有相对的第一作用面及第一非作用面的第一半导体芯片以其第一作用面结合至一承载件上；

于该承载件上形成包覆该第一半导体芯片的包覆层；

将一具有相对的第一表面及第二表面的基板以其第一表面接置于该包覆层上，且该基板的第一表面上具有多个电性连接垫；

移除该承载件及粘着层，以外露出该第一半导体芯片的第一作用面；

于该包覆层中形成多个贯孔，以外露出该基板的电性连接垫；以及

于该包覆层上形成第一线路层，并于该贯孔中形成电性连接该第一线路层与电性连接垫的导电贯孔。

2.根据权利要求书1所述的半导体封装件的制法，其特征在于，形成该第一线路层与导电贯孔的步骤包括：

于该包覆层及该第一半导体芯片的第一作用面上形成具有阻层开孔的阻层，且该阻层开孔外露出所述贯孔；

于该贯孔中形成该导电贯孔，并于该阻层开孔中形成该第一线路层；以及

移除该阻层。

3.根据权利要求书2所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该制法还包括于形成该阻层前，于该第一半导体芯片的第一作用面及该包覆层上形成导电层，且还包括于移除该阻层后，移除该阻层所覆盖的导电层。

4.根据权利要求书1所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该基板中及该第二表面上分别形成有导电通孔及第二线路层，且该电性连接垫与该第二线路层通过该导电通孔电性连接。

5.根据权利要求书1所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该基板的第一表面上设置有第二半导体芯片。

6.根据权利要求书5所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该第二半导体芯片具有相对的第二作用面及第二非作用面，并以该第二作用面结合至该第一表面上。

7.根据权利要求书1所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该制法还包括于形成该第一线路层后，于该包覆层与第一线路层上形成增层结构，并使该增层结构电性连接至该第一线路层与第一半导体芯片。

8.根据权利要求书7所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该制法还包括于该增层结构上形成拒焊层，且该拒焊层具有供植设导电组件的开口。

9.根据权利要求书7所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该第一半导体芯片的第一作用面具有多个电极垫，且该增层结构电性连接至所述电极垫。

10.一种半导体封装件，包括：

包覆层，其具有相对的顶面及底面；

多个导电贯孔，其形成于该包覆层中，且贯穿该顶面与底面；

第一线路层，其形成于该包覆层的顶面与导电贯孔上；

第一半导体芯片，其嵌埋于该包覆层中，且该第一半导体芯片具有外露于该顶面的第一作用面及相对该第一作用面的第一非作用面；以及

基板，具有相对的第一表面及第二表面，并以该第一表面结合至该包覆层的底面，且该基板的第一表面上具有多个电性连接该导电贯孔的电性连接垫，该第二表面上形成有第二线路层，且该电性连接垫与该第二线路层通过贯穿该基板的导电通孔电性连接，其中，该第一非作用面与该基板的第一表面之间具有部分该包覆层。

11.根据权利要求书10所述的半导体封装件，其特征在于，于该第一线路层与包覆层间、该导电贯孔与包覆层间及该导电贯孔与电性连接垫间还具有导电层。

12.根据权利要求书10所述的半导体封装件，其特征在于，该半导体封装件还包括设置并电性连接于该基板的第二半导体芯片。

13.根据权利要求书12所述的半导体封装件，其特征在于，该第二半导体芯片具有相对的第二作用面及第二非作用面，并以该第二作用面结合至该第一表面上，且该第二半导体芯片嵌埋于该包覆层中。

14.根据权利要求书10所述的半导体封装件，其特征在于，该半导体封装件还包括增层结构，其形成于该包覆层的顶面上，并电性连接至该第一线路层与第一半导体芯片。

15.根据权利要求书14所述的半导体封装件，其特征在于，该半导体封装件还包括拒焊层，其形成于该增层结构上，且该拒焊层具有供植设导电组件的开口。

16.根据权利要求书14所述的半导体封装件，其特征在于，该第一半导体芯片的第一作用面具有多个电极垫，该第一半导体芯片并通过该电极垫电性连接至该增层结构。