[发明专利]固态成像设备,其制造方法,以及照相机有效
申请号: | 201310496051.3 | 申请日: | 2013-10-22 |
公开(公告)号: | CN103794615A | 公开(公告)日: | 2014-05-14 |
发明(设计)人: | 篠原真人;板桥政次;熊野秀臣 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 袁玥 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 成像 设备 制造 方法 以及 照相机 | ||
1.一种具有多个像素的固态成像设备,包括:
基板,具有第一面和与所述第一面相对的第二面,并且其中形成了分别对应于所述多个像素的多个光电转换部分;
光学系统,包括在所述基板的所述第一面的一侧上与所述多个像素对应地提供的多个微透镜;以及
多个光吸收部分,在所述基板的所述第二面的一侧上与所述多个像素对应地被提供,并且吸收光,
其中,所述多个像素包括用于检测第一波长的光的第一类型的像素,以及用于检测比所述第一波长短的第二波长的光的第二类型的像素,以及
对于所述第一类型的像素中的每个,所述固态成像设备进一步包括所述基板和对应于所述像素的所述光吸收部分之间的第一部分,并且对于所述第二类型的像素中的每个,所述固态成像设备进一步包括所述基板和对应于所述像素的光吸收部分之间的第二部分,以及
对于所述第一波长的光,所述第一部分的反射率高于所述第二部分的反射率。
2.根据权利要求1所述的设备,其中,
所述第一部分从基板侧到光吸收部分侧包括第一介电膜、第二介电膜,以及绝缘部分,
所述第二部分从所述基板侧到所述光吸收部分侧包括所述第一介电膜以及所述绝缘部分,以及
第一介电膜的折射率低于所述基板的折射率,所述第二介电膜的折射率高于第一介电膜的折射率,所述绝缘部分的折射率低于第二介电膜的折射率,并且第一介电膜的光学厚度和第二介电膜的光学厚度各自落在所述第一波长的1/4的±30%的范围内。
3.根据权利要求1所述的设备,其中
光吸收部分是通过从相对于所述基板的近侧,按顺序层叠用于吸收光的构件以及具有传导性质的构件而形成的,并且包括所述用于吸收光的构件的部分的底部面积大于包括所述具有传导性质的构件的部分的底部面积。
4.根据权利要求3所述的设备,其中
所述包括所述用于吸收光的构件的部分覆盖所述包括所述具有传导性质的构件的部分的侧表面。
5.一种照相机,包括:
根据权利要求1到4中的任何一个所述的固态成像设备;以及
被配置成处理从所述固态成像设备输出的信号的处理器。
6.一种制造具有多个像素的固态成像设备的方法,
所述固态成像设备包括基板、光学系统和多个光吸收部分,所述基板具有第一面和与所述第一面相对的第二面,并且其中形成了分别对应于所述多个像素的多个光电转换部分,所述光学系统包括在所述基板的所述第一面的一侧上与所述多个像素对应地提供的多个微透镜,并且所述多个光吸收部分与所述多个像素对应地提供在所述基板的所述第二面的一侧上并且吸收光,以及
其中,所述多个像素包括用于检测第一波长的光的第一类型的像素,以及用于检测比第一波长短的第二波长的光的第二类型的像素,
所述方法包括:
对于所述第一类型的像素以及所述第二类型的像素中的每个,在所述基板上形成具有介电性质的第一介电膜;
对于所述第一类型的像素中的每个,在第一介电膜上形成具有介电性质的第二介电膜;以及
对于所述第一类型的像素以及所述第二类型的像素中的每个,沉积具有绝缘性质的绝缘部分以覆盖第一介电膜和第二介电膜,
其中,第一介电膜的折射率低于所述基板的折射率,第二介电膜的折射率高于第一介电膜的折射率,绝缘部分的折射率低于第二介电膜的折射率,并且第一介电膜的光学厚度和第二介电膜的光学厚度各自落在所述第一波长的1/4的±30%的范围内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的