[发明专利]固态成像设备,其制造方法,以及照相机有效
申请号: | 201310496051.3 | 申请日: | 2013-10-22 |
公开(公告)号: | CN103794615A | 公开(公告)日: | 2014-05-14 |
发明(设计)人: | 篠原真人;板桥政次;熊野秀臣 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 袁玥 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 成像 设备 制造 方法 以及 照相机 | ||
技术领域
本发明涉及固态成像设备、其制造方法,以及照相机。
背景技术
在背面照明固态成像设备中,在其上面提供光电转换部分的基板具有例如大约3μm的厚度,并且入射光的长波长分量(例如,绿光或红光)被透射到表面侧。
日本专利待审公开No.2006-261372公开了其中布置了反射膜140以覆盖包括光电转换元件111的基板(设备层110)的结构。在日本专利待审公开No.2006-261372中所描述的结构中,透过基板的光被反射膜140反射,并经历光电转换元件111的光电转换,得到光敏度的改善。
在日本专利待审公开No.2006-261372中所描述的结构中,透过基板的光被反射膜140朝向光电转换元件111均匀地反射。即例如如果绿光或红光在应该检测蓝光的像素(蓝光像素)中混合,则在蓝光像素中不希望地检测到绿光或红光。这可能降低要获得的图像的质量。
发明内容
本发明对防止固态成像设备中的相邻像素之间的颜色混合有利。
本发明的各方面中的一个方面提供具有多个像素的固态成像设备,包括:具有第一面和与第一面相对的第二面,并且其中形成了分别对应于所述多个像素的多个光电转换部分的基板;包括在所述基板的所述第一面的一侧上与所述多个像素对应地提供的多个微透镜的光学系统;以及,在所述基板的所述第二面的一侧上与所述多个像素对应地提供并且吸收光的多个光吸收部分,其中,所述多个像素包括用于检测第一波长的光的第一类型的像素,以及用于检测比所述第一波长短的第二波长的光的第二类型的像素,并且对于所述第一类型的所述像素中的每个,所述固态成像设备进一步包括所述基板和对应于所述像素的所述光吸收部分之间的第一部分,并且对于所述第二类型的所述像素中的每个,进一步包括所述基板和对应于所述像素的所述光吸收部分之间的第二部分,并且,对于所述第一波长的光,所述第一部分的反射率高于所述第二部分的反射率。
本发明的各方面中的一个方面提供制造具有多个像素的固态成像设备的方法,所述固态成像设备包括具有第一面和与所述第一面相对的第二面,并且其中形成了分别对应于所述多个像素的多个光电转换部分的基板;包括在所述基板的所述第一面的一侧上与所述多个像素对应地提供的多个微透镜的光学系统;以及,在所述基板的所述第二面的一侧上与所述多个像素对应地提供并且吸收光的多个光吸收部分,并且其中,所述多个像素包括用于检测第一波长的光的第一类型的像素,以及用于检测比所述第一波长短的第二波长的光的第二类型的像素,该方法包括:对于所述第一类型的像素以及所述第二类型的像素中的每个,在所述基板上形成具有介电性质的第一介电膜,对于所述第一类型的像素中的每个,在所述第一介电膜上形成具有介电性质的第二介电膜,以及,对于所述第一类型的像素以及所述第二类型的像素中的每个,沉积具有绝缘性质的绝缘部分以覆盖所述第一介电膜和第二介电膜,其中,第一介电膜的折射率低于所述基板的折射率,所述第二介电膜的折射率高于所述第一介电膜的折射率,所述绝缘部分的折射率低于所述第二介电膜的折射率,并且所述第一介电膜的光学厚度和所述第二介电膜的光学厚度各自落在所述第一波长的1/4的±30%的范围内。
通过下列参考附图对示例性实施例的描述,本发明的其他功能将变得明显。
附图说明
图1是用于说明根据第一实施例的固态成像设备的布置的示例的视图;
图2是用于说明在根据第一实施例的固态成像设备的布置中获得的效果的视图;以及
图3A到3C是用于说明根据第一实施例的制造固态成像设备的方法的示例的一部分的视图。
具体实施方式
(第一实施例)
将参考图1到3C来描述根据第一实施例的固态成像设备100。图1示意地示出了固态成像设备100的截面结构。固态成像设备100包括多个像素P,包括基板1、光学系统20,以及光吸收部分30,并具有背面照明结构。为描述方便,将示范两个像素P(PG/R和PB)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的