[发明专利]一种基于激光氧化法的P型硅太阳能电池PN结结深测量方法

权利要求书

1. 基于激光氧化法的P型硅太阳能电池PN结结深测量方法，包括如下步骤：

第1步、去除N-P型硅片表面的氧化层；

第2步、将所述硅片置于激光处理腔体中，并通入纯氧，腔体内纯氧的最佳气压为1.05个大气压；

第3步、利用脉冲型激光对硅片正面进行加热处理，使硅片的上表面层被氧化，每次执行本步骤时，采用的激光波长为980nm或1064nm，激光的脉冲频率为25-35Hz，每平方厘米硅片上激光作用的时间为15-25s；

第4步、取出硅片，利用氢氟酸溶液去除硅片表面的氧化层；

第5步、清洁干燥后，测量硅片最薄处的减薄深度，并利用四探针测量该处硅片表面电阻值，并记录数据；

第6步、重复第2步-第5步直到硅片表面电阻值与衬底的电阻相同，转至第7步；

第7步、将样品电阻值最大的区域划分为4块，并分别在纯氧环境下利用波长为980nm或1064nm，脉冲频率为25-35Hz的激光，进行每平方厘米硅片上5秒、10秒、15秒和20秒的加热处理，然后去除表面氧化层并依次利用四探针测试硅片这4块区域的表面电阻值，硅片表面电阻值突然变小处所对应的硅片减薄深度为PN结结深；

第1次执行第3步时，激光加热硅片的面积为N*A；第2次执行第三步时，激光加热硅片的面积为（N-1）*A，以此类推，第N次执行第三步时，激光加热硅片的面积为A，第i次激光加热区域在第i-1次激光加热区域的范围内，其中，i=2,3，…， N，N的取值范围为10-25。

2. 根据权利要求1所述的基于激光氧化法的PN结结深测量方法，其特征在于：每次执行第3步时，A=10mm×10mm。

3. 根据权利要求1所述的基于激光氧化法的PN结结深测量方法，其特征在于：第5步和第7步中，利用台阶仪测量硅片最薄处的减薄深度。