[发明专利]半导体封装结构与其制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：

一第一基板，具有至少一第一贯孔与一第一上表面；

一第二基板，具有一第二上表面，该第二基板配置于该第一基板之下；

一第一电子元件，配置于该至少一第一贯孔内；

一第二电子元件，配置于该第一上表面，且该第二电子元件的厚度小于该第一电子元件的厚度；

一绝缘材料，配置于该第一上表面上且环绕该第一电子元件与该第二电子元件；以及

一布线结构，配置于该绝缘材料上，其中该布线结构包括一图案化导电层，且该图案化导电层电性连接该第一电子元件与该第二电子元件。

2.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，该第一电子元件的上表面与该第二电子元件的上表面共平面。

3.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，该第一电子元件的上表面与该第二电子元件的上表面具有一距离，该距离介于0～30μm之间。

4.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，更包括一黏着层，该黏着层位于该第二上表面并连接该第一电子元件。

5.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，更包括一第三基板，该第三基板配置于该第一基板与该第二基板之间，其中该第三基板具有一第二贯孔，该第二贯孔的位置对应于该至少一第一贯孔其中之一的位置设置。

6.如权利要求5所述的半导体封装结构，其特征在于，更包括一第三电子元件，该第三电子元件同时配置于该第二贯孔与该至少一第一贯孔内。

7.如权利要求5所述的半导体封装结构，其特征在于，该第二贯孔的孔径小于或等于该至少一第一贯孔的孔径。

8.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，更包括一第三电子元件，其中该第二基板具有至少一第二贯孔，该第三电子元件配置于该至少一第二贯孔内。

9.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，该第二电子元件与该第一上表面之间更包括一铜垫层。

10.一种半导体封装结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供一第一基板，该第一基板具有一第一上表面；

形成至少一第一贯孔穿过该第一基板；

提供一第二基板，该第二基板具有一第二上表面；

堆迭该第一基板于该第二基板之上；

配置一第一电子元件于该至少一第一贯孔内；

配置一第二电子元件于该第一上表面，且该第二电子元件的厚度小于该第一电子元件的厚度；

提供一绝缘材料于该第一上表面上，且该绝缘材料环绕该第一电子元件与该第二电子元件；以及

形成一布线结构于该绝缘材料上，其中该布线结构包括一图案化导电层，且该图案化导电层电性连接该第一电子元件与该第二电子元件。

11.如权利要求10所述的制造方法，其特征在于，该第一电子元件的上表面与该第二电子元件的上表面共平面。

12.如权利要求10所述的制造方法，其特征在于，该第一电子元件的上表面与该第二电子元件的上表面具有一距离，该距离介于0～30μm之间。

13.如权利要求10所述的制造方法，其特征在于，更包括：

形成一黏着层于该第二上表面，其中该黏着层连接该第一电子元件。

14.如权利要求10所述的制造方法，其特征在于，更包括：

提供一第三基板于该第一基板与该第二基板之间。

15.如权利要求14所述的制造方法，其特征在于，更包括：

形成一第二贯孔穿过该第三基板，其中该第二贯孔的位置对应于该至少一第一贯孔其中之一的位置设置；

提供一第三电子元件同时配置于该第二贯孔与该至少一第一贯孔内。

16.如权利要求15所述的制造方法，其特征在于，该第二贯孔的孔径小于或等于该至少一第一贯孔的孔径。

17.如权利要求10所述的制造方法，其特征在于，更包括：

形成至少一第二贯孔穿过该第二基板；

提供一第三电子元件配置于该至少一第二贯孔内。

18.如权利要求10所述的制造方法，其特征在于，更包括：

形成一铜垫层于该第二电子元件与该第一上表面之间。