[发明专利]一种多重修整结构的集成电路

说明书

技术领域

本发明广泛涉及使用所谓的齐纳击穿的方法修整单片半导体集成电路（IC）设备。一串连续的电阻器连接到齐纳二极管，从而每个电阻器有一个并联二极管。当一个特定的二极管击穿或短路时，相关的电阻短路且字串值减少了这一数值。通过使用背靠背二极管，IC芯片焊盘的数量减少且通过脉冲的极性以及所使用的焊盘可以确定击穿程度。上述认定的应用涉及一种结构，其中保护了一对正向偏置二极管。它的目的是保护实施本发明中采用的结构。 

背景技术

显然，在现有技术的齐纳击穿中，开始的微调电阻是最大的且其随着每个二极管的击穿逐步减少。从微调标称的中档范围电阻值开始提高或降低此值。 

发明内容

本发明的一个目的是提供一种集成电路的微调结构，其中最初存在一个标称值且微调可以提高或降低标称值。 

 本发明的再一个目的是提供一个简单的集成电路修整结构，其具有一个标称值以及多个较高和较低的值。 

本发明的另一个目的是提供一种集成电路修整结构，其产生了多阶电阻值并仅使用一个单一对的集成电路焊盘来调整阶层。 

本发明还有一个目的是提供一种使用一对芯片焊盘的集成电路修整结构，其具有多阶相等值，其中操作熔丝熔断和齐纳二极管击穿的组合来实现的步骤。本发明的技术解决方案是： 这些和其它目的可以通过以下结构来实现。电阻器以其最广泛形式耦合在一对集成电路芯片焊盘和一个并联熔丝环之间且齐纳二极管连接到这些电阻器。原来的或标称的电阻值可以通过组合齐纳击穿和熔丝熔断来提高或降低。在一个优选的实施例中，集成电路芯片焊盘连接在熔丝元件和一对背靠背的齐纳二极管之间。一个星形（或三角形）电阻的两个引脚连接到焊盘且第四电阻从第三个引脚连接到共同的齐纳二极管的端子。该组合第一和第三引脚之间提供了一个标称电阻值。通过熔断熔丝和选择性地击穿两个齐纳二极管改变电阻值，从而给出5个电阻状态。通过合适选择电阻器的值，5个不同的电阻值可以是线性相关。 

如果需要，多个这样的结构可以结合用于修整集成电路。如果标称的或起动电阻值成比例，可以实现粗、微调。两个这样的结构相结合，它们可以共享一个共同的电源接线端焊盘。因此，仅通过将两个焊盘以及适当的部件增加到集成电路，电路可以进行粗、微调从而提供一个25比1的修整参数的精度改进。 

对比专利文献：CN2927322Y 集成电路结构200620112554.1。 

 附图说明。 

图1是本发明的基本结构的原理图。 

图2是本发明的优选结构的原理图。 

图3是图2中结构的另一种实施例的原理图。 

图4是本发明的一个实施例的原理图，其使用图2的一对结构多样的组合成一个共同的集成电路焊盘。 

图5是本发明使用图2的一对结构以及集成电路的现有焊盘进行装配修整的另一实施例。 

图6是本发明以一个场效应晶体管的输入集成电路和装配修整形式的替代品。 

图7是本发明使用现有的修整焊盘在完成组装后的集成电路中对输入级的电流进行修整的另一实施例。 

具体实施方式。 

图1显示出本发明的基本概念。集成电路芯片的焊盘10和11耦合到电路进行修整，这可能是一个电阻网络进行修整的一部分。如图电路所示，完整的熔丝环9将电阻2R短路以至于整体的电阻为R。它是只需要在电阻R两端小于几百毫伏的电压工作，所以二极管8将不会正向导通。二极管反向偏置条件仅需不超过齐纳电压。如果熔丝环9的电流额定值超过齐纳二极管8且一个齐纳击穿电流在焊盘10和11之间通过，其将流过短路的二极管8，因此降低整体电阻值直至为0。在齐纳二极管短路后，熔丝熔断电流可以在焊盘10和11之间通过。这将焊盘10和11之间的电阻值提高到2R。因此，原有的或标称的R电阻值可以选择性地提高到2R或降低到零。可以实现作为以前额外电阻水平的一种替代方法。如果发现需要修整高电阻值，熔丝元件9可以熔断从而首先实现焊盘10和11之间的3R值。在事件中做到这一点，没有进一步的修整。在这个替代方案中，它仅需要在二极管8正向偏置时，可以运送足够的电流熔断熔丝9。