[发明专利]定向自组装制程/邻近校正的方法有效
申请号: | 201310503201.9 | 申请日: | 2013-10-23 |
公开(公告)号: | CN103779189A | 公开(公告)日: | 2014-05-07 |
发明(设计)人: | A·拉特波夫 | 申请(专利权)人: | 格罗方德半导体公司 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;G03F7/16 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 英属开曼群*** | 国省代码: | 开曼群岛;KY |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 定向 组装 邻近 校正 方法 | ||
1.一种制造集成电路的方法,包括:
设计光学掩模以形成在半导体基板上光阻层中的预图案开口,其中,该光阻层与该预图案开口涂布有经过定向自组装(DSA)的自组装材料以形成DSA图案,且其中,设计该光学掩模的步骤包含:
使用运算系统,输入DSA标的图案;
使用该运算系统,应用DSA模型于该DSA标的图案,以产生第一DSA定向图案;
使用该运算系统,计算该DSA标的图案与该DSA定向图案间的留数;以及
使用该运算系统,应用该DSA模型于该第一DSA定向图案与该留数,以产生第二、更新的DSA定向图案。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,输入该DSA标的图案包括输入一个或多个线条及空间图案、隔离线图案、或接点通孔图案。
3.根据权利要求1所述的方法,进一步包括使用该运算系统运算该留数的成本函数。
4.根据权利要求3所述的方法,其中,产生该第二、更新的DSA定向图案包括运算该第一DSA定向图案的函数以及该成本函数的至少一个微分。
5.根据权利要求4所述的方法,其中,该成本函数的该至少一个微分是该成本函数的一阶微分。
6.根据权利要求5所述的方法,其中,产生该第二、更新的DSA定向图案包括依据下列公式运算该第二、更新的DSA定向图案:
d(n+1)=d(n)-tnFd(1)(d(n))。
7.根据权利要求4所述的方法,其中,该成本函数的该至少一个微分是该成本函数的二阶微分。
8.根据权利要求7所述的方法,其中,产生该第二、更新的DSA定向图案包括依据下列公式运算该第二、更新的DSA定向图案:
d(n+1)=d(n)-tn(Fd(2)(d(n)))-1Fd(1)(d(n))。
9.根据权利要求3所述的方法,其中,运算该成本函数包括至少部分依据计算在位于该DSA标的图案的两个或更多边缘的一组预定评估点于该DSA定向图案与该DSA标的图案间的边缘位置误差而运算该成本函数。
10.根据权利要求3所述的方法,其中,运算该成本函数包括至少部分依据蚀刻程序去保护函数值而运算该成本函数。
11.根据权利要求3所述的方法,进一步包括调整该成本函数以包含增加该成本函数值的项次而用于更加敏感的DSA程序。
12.根据权利要求3所述的方法,进一步包括计算该成本函数的微分。
13.根据权利要求12所述的方法,其中,计算该成本函数的该微分包括使用有限差分公式计算该微分,以计算该成本函数对于该第一DSA定向图案的至少一个参数的偏微分。
14.根据权利要求12所述的方法,其中,计算该成本函数的该微分包括使用伴随方程法计算该微分,以计算该成本函数对于该第一DSA定向图案的至少一个参数的偏微分。
15.根据权利要求1所述的方法,进一步包括将该光学掩模铺设于该半导体基板上的该光阻层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造