[发明专利]三明治式石墨烯饱和吸收体及其制备方法

权利要求书

1.三明治式石墨烯饱和吸收体，包括底层衬底材料、底层衬底材料上覆有的石墨烯层、和上层衬底材料，三层紧密接触呈三明治式结构，三明治式结构外周有密封胶均匀涂覆层。

2.根据权利要求1所述的三明治式石墨烯饱和吸收体，其特征是，所述的衬底材料为石英、蓝宝石或玻璃透明材质。

3.权利要求1所述的三明治式石墨烯饱和吸收体的制备方法，其特征是，包括步骤如下：

（1）在铜箔上沉积单层的石墨烯薄膜；

（2）湿法转移：将沉积有石墨烯的Cu箔剪切成正方形，在其上均匀旋涂PMMA，烘干，然后放入FeCl₃溶液中室温浸泡，直到石墨烯与PMMA膜从Cu基底上脱落，并将Cu腐蚀完全，将石墨烯与PMMA膜迁移到去离子水溶液中漂洗5-50min后迁移到透明衬底上，待自然干燥后烘干；将烘干的PMMA与石墨烯及透明衬底置于丙酮溶液中，直到PMMA去除干净，然后利用乙醇清洗并自然干燥；

（3）取相同的衬底材料置于附有石墨烯的衬底材料之上，压紧，排除衬底材料之间的空气，将密封胶均匀的涂覆在衬底材料周围，制成三明治式的石墨烯饱和吸收体。

4.根据权利要求3所述的三明治式石墨烯饱和吸收体的制备方法，其特征是，步骤（1）在铜箔上沉积单层的石墨烯薄膜的具体步骤为：将Cu箔置于石英管恒温区，将石英管密封后，将石英管内的气压抽至极限真空状态1-4×10^-4帕，同时加热将温度升至生长温度800-1100℃；达到生长温度后通入氢气退火1-30分钟，之后通入甲烷或乙炔碳源气体；生长10-100分钟时间后，关闭碳源气体在氢气氛围下快速降温。

5.根据权利要求4所述的三明治式石墨烯饱和吸收体的制备方法，其特征是，所述的氢气、碳源气体的通入量分别为10-100sccm，10-300sccm。

6.根据权利要求3所述的三明治式石墨烯饱和吸收体的制备方法，其特征是，步骤（2）所述的正方形边长为10-20mm。

7.根据权利要求3所述的三明治式石墨烯饱和吸收体的制备方法，其特征是，所述的烘干均为置于100-300℃的加热板上烘烤5-50min。

8.根据权利要求3所述的三明治式石墨烯饱和吸收体的制备方法，其特征是，所述的FeCl₃溶液的浓度范围为0.2-1.5mol/L。