[发明专利]半导体制造设备及半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201310503545.X | 申请日： | 2013-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN103972045B | 公开（公告）日： | 2018-07-27 |
| 发明（设计）人： | 小出辰彦;小川义宏;清利正弘 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 牛南辉;杨晓光 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 设备 半导体器件 方法 | ||
1.一种半导体制造设备，包括：
腔；
化学剂供给部分，包含异丙醇并被配置为向在所述腔中的已用清洁液体清洁的半导体衬底的表面供给所述异丙醇；以及
喷射部分，包含捕获水的水捕获剂并被配置为首先气化所述喷射部分内的所述水捕获剂以及然后喷射气化的水捕获剂到所述腔中的气氛中。
2.根据权利要求1的设备，其中所述化学剂供给部分被配置为将所述异丙醇喷射到所述半导体衬底的所述表面。
3.根据权利要求1的设备，其中
所述腔容纳多个所述半导体衬底，以及
所述化学剂供给部分被配置为向所述半导体衬底的所述表面喷射所述异丙醇。
4.根据权利要求1的设备，其中与所述化学剂供给部分整体地形成所述喷射部分。
5.根据权利要求1的设备，还包括安装部分，用于在所述腔中安装所述半导体衬底，
所述安装部分旋转所述半导体衬底以排出所述半导体衬底上的液体。
6.根据权利要求1的设备，包括从所述腔的内部排出空气的真空装置。
7.一种用于使用半导体制造设备制造半导体器件的半导体器件制造方法，所述半导体制造设备包括腔、包含到所述腔中的异丙醇的化学剂供给部分以及包含到所述腔中的捕获水的水捕获剂的喷射部分，所述方法包括：
在所述腔中设置已用清洁液体清洁的半导体衬底；
首先气化所述喷射部分内的所述水捕获剂；以及
然后将气化的水捕获剂喷射到所述腔中的气氛中。
8.根据权利要求7的方法，还包括在供给所述异丙醇之后旋转所述半导体衬底以排出在所述半导体衬底上的液体。
9.根据权利要求7的方法，其中通过允许所述化学剂供给部分向所述半导体衬底的表面喷射所述异丙醇而执行所述异丙醇的供给。
10.根据权利要求7的方法，其中
所述腔容纳多个所述半导体衬底，以及
所述化学剂供给部分向所述半导体衬底的表面喷射所述异丙醇。
11.根据权利要求7的方法，其中
所述腔容纳多个所述半导体衬底，以及
所述化学剂供给部分向所述半导体衬底的表面喷射所述异丙醇。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝，未经株式会社东芝许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
