[发明专利]半导体制造设备及半导体器件的制造方法

说明书

本发明涉及半导体制造设备及半导体器件的制造方法。根据本实施例的半导体制造设备包括腔。配置化学剂供给部分以向所述腔中的已用清洁液体清洁的半导体衬底的表面供给憎水剂或有机溶剂。配置喷射部分以将捕获水的水捕获剂喷射到所述腔中的气氛中。

相关申请的交叉引用

本申请基于并要求2013年1月25日提交的在先的日本专利申请No.2013-011850的优先权，在此引入其整个内容作为参考。

技术领域

本发明的实施例涉及半导体制造设备及半导体器件的制造方法。

背景技术

半导体器件制造工艺包括如光刻工艺、蚀刻工艺以及离子注入工艺等的多种工艺。在每个工艺结束后并且在移至下一个工艺前，进行清洁工艺和干燥工艺以除去保留在半导体表面上的杂质和残留物以便清洁半导体衬底的表面。

近年来，随着元件尺寸的降低，在半导体衬底上的图形的纵横比越来来越高。在高纵横比情况下，会出现一个问题，在干燥工艺中，毛细管现象（表面张力）会引起半导体衬底上的图形崩塌。

在湿法清洁工艺中，一般地推荐使用有机溶剂异丙醇（IPA）解决此问题。在使用IPA的情况下，IPA替代半导体衬底W上的DIW（去离子水）并且半导体衬底的表面被IPA干燥（进行IPA干燥处理）。然而，当腔中的气氛包含大量的水时，在IPA的干燥处理时，存在IPA吸收水的可能性并且当半导体衬底的表面被干燥时，在半导体表面上形成水印。

另外，还推荐一种技术用于使半导体衬底的表面憎水并且降低在图形和化学液体或者DIW之间作用的毛细力。然而，用于使半导体衬底的表面憎水的憎水剂通常在与水反应后失活。例如，在清洁器件期间，经常发生憎水剂与腔中的水反应后失活的情况。如果这种憎水剂的失活发生，那么憎水剂就不能使半导体衬底的表面憎水并且抑制毛细管现象（表面张力）导致的半导体衬底上的图形的崩塌。

发明内容

本发明的实施例实现了一种半导体制造设备及半导体器件的制造方法，该方法能够确保使半导体衬底的表面憎水并且抑制半导体衬底上的图形崩塌。

根据本实施例的半导体制造设备包括腔。配置化学剂供给部分以向所述腔中的已用清洁液体清洁的半导体衬底的表面供给憎水剂或有机溶剂。配置喷射部分以将捕获水的水捕获剂喷射到所述腔中的气氛中。

附图说明

图1示出了根据本发明的第一实施例的用于半导体衬底的表面处理设备10的结构实例；

图2示出了在半导体衬底W上的图形4上的液体的接触角θ；

图3A到3D是根据第一实施例的NAND闪速存储器的制造方法的截面示意图；

图4示出了根据第一实施例的表面处理方法的流程图；

图5示出了根据第二实施例的表面处理方法的流程图；

图6A和6B示出了根据本发明的第三实施例的用于半导体衬底的表面处理设备30的配置实例；以及

图7示出了根据第三实施例的表面处理方法的流程图；

具体实施方式

现在将参考附图解释实施例。本发明不限于实施例。

（第一实施例）

图1示出了根据第一实施例的用于半导体衬底的表面处理设备10的配置实例；表面处理设备10包括安装单元100，其上安装半导体衬底（晶片）W，供给液体的液体供给单元200，气密密封半导体衬底W的腔300，以及喷射水捕获剂2的喷射单元400。