[发明专利]一种硼/碳热还原法低温制备硼化锆粉体的方法有效

专利信息
申请号: 201310504553.6 申请日: 2013-10-23
公开(公告)号: CN103588216A 公开(公告)日: 2014-02-19
发明(设计)人: 赵彦伟;周延春;李军平;刘宏瑞 申请(专利权)人: 航天材料及工艺研究所;中国运载火箭技术研究院
主分类号: C01B35/04 分类号: C01B35/04;C04B35/58
代理公司: 中国航天科技专利中心 11009 代理人: 安丽
地址: 100076 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 还原法 低温 制备 硼化锆粉体 方法
【权利要求书】:

1.一种硼/碳热还原法低温制备硼化锆粉体的方法,其特征在于:该方法以蔗糖、酚醛树脂、环氧树脂或沥青作为碳源,以氧化锆和碳化硼分别作为锆源和硼源,该方法的步骤为:

1)将氧化锆和碳化硼放入球磨罐中,添加无水乙醇,加入氧化锆球磨介质,球磨混合6-48h,将混匀后的混合液移至装有无水乙醇的器皿中,超声分散,得到混合悬浮液;

2)将碳源溶于溶剂中,然后倒入到步骤1)中的混合悬浮液中;然后加热、搅拌,得到混合均匀的反应物;

3)将步骤2)得到的反应物装入石墨坩埚中,将石墨坩埚放入流动氩气保护的热处理炉或真空炉内进行加热,然后随炉冷却至室温,再经研磨得到ZrB2粉体,得到的粉体的粒径为100~500nm。

2.根据权利要求1所述的一种硼/碳热还原法低温制备硼化锆粉体的方法,其特征在于:步骤1)中混合液中氧化锆溶液的浓度为0.5~5mol/L,碳化硼溶液的浓度为0.3~3mol/L,超声分散时间为0.5~4h;氧化锆的纯度≥99.9wt.%,粒径为≤100nm,碳化硼的纯度为≥95.0wt.%,粒径为≤2μm。

3.根据权利要求1所述的一种硼/碳热还原法低温制备硼化锆粉体的方法,其特征在于:步骤2)中碳源溶液的浓度为0.1~2mol/L,碳源为分析纯;加热温度为100~250℃,加热时间为0.5~8h;搅拌方式为磁力搅拌。

4.根据权利要求1、2或3所述的一种硼/碳热还原法低温制备硼化锆粉体的方法,其特征在于:碳源为蔗糖,溶剂为水。

5.根据权利要求1、2或3所述的一种硼/碳热还原法低温制备硼化锆粉体的方法,其特征在于:碳源为酚醛树脂、环氧树脂或沥青,溶剂为乙二醇、正己烷或环己烷。

6.根据权利要求1所述的一种硼/碳热还原法低温制备硼化锆粉体的方法,其特征在于:步骤2)中碳源中碳的摩尔量与步骤1)中锆源的摩尔量之比为3~5:1。

7.根据权利要求1所述的一种硼/碳热还原法低温制备硼化锆粉体的方法,其特征在于:步骤3)中加热程序为以10℃/min的升温速率加热至1200~1600℃保温0.5~2h,热处理炉内为流动Ar或真空。

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