[发明专利]透明导电性膜、其制造方法及具备其的触摸面板

权利要求书

1.一种透明导电性膜，其特征在于，其为在透明的膜基材的至少一面具有透明导电性薄膜层叠体的透明导电性膜，

所述膜基材为厚度2～200μm的塑料膜，

所述透明导电性薄膜层叠体中，从所述透明导电性薄膜层叠体的表面侧开始具有第一透明导电性薄膜和第二透明导电性薄膜，

所述第一透明导电性薄膜为氧化锡的比例超过0且为6重量%以下的铟锡复合氧化物的结晶质膜，

所述第二透明导电性薄膜为氧化锡的比例3～25重量%的铟锡复合氧化物的结晶质膜，

所述第二透明导电性薄膜的氧化锡的比例比所述第一透明导电性薄膜大，

所述透明导电性薄膜层叠体整体的厚度为35nm以下。

2.根据权利要求1所述的透明导电性膜，其特征在于，所述膜基材的厚度为2～120μm。

3.根据权利要求1所述的透明导电性膜，其特征在于，所述膜基材的厚度为2～100μm。

4.根据权利要求1所述的透明导电性膜，其特征在于，所述膜基材为包含聚酯系树脂、聚碳酸酯系树脂或聚烯烃系树脂的塑料膜。

5.根据权利要求1所述的透明导电性膜，其特征在于，所述膜基材为聚对苯二甲酸乙二醇酯膜。

6.根据权利要求1所述的透明导电性膜，其特征在于，所述第一透明导电性薄膜的厚度为1～17nm。

7.根据权利要求1所述的透明导电性膜，其特征在于，所述第一透明导电性薄膜的厚度为1～12nm。

8.根据权利要求1所述的透明导电性膜，其特征在于，所述第一透明导电性薄膜的厚度为1～6nm。

9.根据权利要求1所述的透明导电性膜，其特征在于，所述第二透明导电性薄膜的厚度为9～34nm。

10.根据权利要求1所述的透明导电性膜，其特征在于，所述第二透明导电性薄膜的厚度为9～29nm。

11.根据权利要求1所述的透明导电性膜，其特征在于，所述第二透明导电性薄膜的厚度为9～24nm。

12.根据权利要求1所述的透明导电性膜，其特征在于，所述第二透明导电性薄膜的氧化锡的比例为5～25重量%。

13.根据权利要求1所述的透明导电性膜，其特征在于，所述第二透明导电性薄膜的氧化锡的比例为7～25重量%。

14.根据权利要求1所述的透明导电性膜，其特征在于，所述第二透明导电性薄膜的氧化锡的比例为8～25重量%。

15.根据权利要求1所述的透明导电性膜，其特征在于，所述第二透明导电性薄膜的氧化锡的比例与所述第一透明导电性薄膜的氧化锡的比例之差为3～25重量%。

16.根据权利要求1所述的透明导电性膜，其特征在于，所述第二透明导电性薄膜的氧化锡的比例与所述第一透明导电性薄膜的氧化锡的比例之差为5～25重量%。

17.根据权利要求1所述的透明导电性膜，其特征在于，所述第一透明导电性薄膜和所述第二透明导电性薄膜分别通过溅射法来形成。

18.根据权利要求1所述的透明导电性膜，其特征在于，所述透明导电性薄膜层叠体整体的厚度为30nm以下。

19.根据权利要求1所述的透明导电性膜，其特征在于，所述透明导电性薄膜层叠体由所述第一透明导电性薄膜和所述第二透明导电性薄膜这2个透明导电性薄膜构成。