[发明专利]透明导电性膜、其制造方法及具备其的触摸面板

说明书

本申请是申请日为2011年11月04日、申请号为201110346353.3、发明名称为透明导电性膜、其制造方法及具备其的触摸面板的申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及在可见光区域具有透明性、且在膜基材上具有由至少2层透明导电性薄膜形成的透明导电性薄膜层叠体的透明导电性膜及具备其的触摸面板。本发明的透明导电性膜除用于液晶显示器、场致发光显示器等显示器方式、触摸面板等中的透明电极以外，还用于防止透明物品带电、阻断电磁波等。对于触摸面板而言，根据位置检测的方法，有光学方式、超声波方式、静电容量方式、电阻膜方式等。本发明的透明导电性膜适宜用于静电容量方式、特别是投影型静电容量方式触摸面板。

背景技术

目前，作为透明导电性膜，公知的是在玻璃上利用氧化铟形成有透明导电性薄膜的所谓的导电性玻璃，但由于基材是玻璃，因此挠性、加工性差，根据用途的不同，有时不能使用。

因此，近年来，从不仅挠性、加工性优异、而且耐冲击性优异、轻量等优点方面考虑，使用将以聚对苯二甲酸乙二醇酯膜为代表的各种塑料膜作为基材、利用氧化铟形成有透明导电性薄膜的透明导电性膜。

另外，对于上述透明导电性薄膜而言，为了应对低电阻、高透射率、高耐久性等要求，多使上述透明导电性薄膜结晶化而使用。作为该结晶化方法，通常为以下方法，即，在膜基材上形成非晶质的透明导电性薄膜后，通过加热等，使非晶质的透明导电性薄膜结晶化的方法。但是，这样的透明导电性膜还取决于膜基材的耐热性，通常，结晶化时，难以将基材加热至200℃以上。因此，存在以下问题，即，与在玻璃上形成透明导电性薄膜并通过高温加热使其结晶化的情况相比，使用了膜基材的透明导电性膜，透明导电性薄膜的结晶化所需要的时间更长。

为了在解决上述结晶化时间的问题的同时满足高温高湿下的可靠性，提出了在膜基材上设置2层结构的透明导电性薄膜。例如，提出了从膜基材侧开始设置由氧化锡的比例小的铟·锡复合氧化物形成的薄膜，并在该薄膜上设置由氧化锡的比例大的铟·锡复合氧化物形成的薄膜(专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2006-244771号公报

发明内容

发明要解决的问题

根据专利文献1，与形成有1层透明导电性薄膜的情况相比较，结晶化时间缩短了一定程度。但是，期望进一步缩短透明导电性薄膜的结晶化时间。

如上所述，透明导电性膜被用作触摸面板、显示器的透明电极。作为触摸面板，由于可以多点触控输入、手势输入、安装在智能手机上等，投影型静电容量方式的触摸面板正迅速普及。该投影型静电容量方式触摸面板为如下所述的结构：将对透明导电性薄膜实施了图案化处理的一对透明导电性膜对向配置，使电流流过透明导电性膜，测量上下的透明导电性薄膜间的静电容量(或者电压的振幅、频率等)这样的结构。对于投影型静电容量方式触摸面板而言，使手指等接近上侧的透明导电性膜时，上下的透明导电性薄膜间的静电容量发生变化，由此，探测所述接近部分的位置。对于投影型静电容量方式触摸面板而言，从传感器的灵敏度·分辨率提高的观点考虑，期望使用低电阻(例如，表面电阻为150Ω/□左右)的透明导电性薄膜。即，期望降低电阻率。但是，对于使用了膜基材的透明导电性膜而言，与使用玻璃作为基材的膜相比，用于透明导电性薄膜的结晶化的加热温度的上限值低，因此，存在透明导电性膜中的结晶化的透明导电性薄膜的电阻率比使用玻璃作为基材的膜还高的问题。在上述专利文献1中，公开了除可以缩短结晶化时间以外、还可以改善高温高湿下的可靠性，但在专利文献1中，不能降低透明导电性薄膜的电阻率。

本发明的目的在于，提供一种具有可以缩短结晶化时间的由结晶质膜形成的透明导电性薄膜的透明导电性膜。

另外，本发明的目的还在于，提供一种具有可以缩短结晶化时间且可以降低电阻率的由结晶质膜形成的透明导电性薄膜的透明导电性膜。

进而，本发明的目的还在于，提供一种使用了所述透明导电性膜的触摸面板。

用于解决问题的方案

本申请发明人等为了解决上述目前存在的问题点，发现利用下述透明导电性膜等可以达成上述目的，从而完成了本发明。

即，本发明涉及一种透明导电性膜，其特征在于，是在透明的膜基材的至少一面具有由至少2层透明导电性薄膜形成的透明导电性薄膜层叠体的透明导电性膜，