[发明专利]超声波测量装置、探头单元、探测器及诊断装置

权利要求书

1.一种超声波测量装置，其特征在于，

包括：

超声波换能器装置，具有：基板、具有配置在所述基板上的多个超声波元件的超声波元件阵列、及形成在所述基板上并和所述超声波元件阵列电连接的多条信号电极线；以及

集成电路装置，具有用于对所述超声波元件阵列输出发送信号的多个端子，

所述多条信号电极线中的各信号电极线包括电极层，在所述电极层中，所述多个超声波元件中的一部分超声波元件的至少一个信号电极在所述基板上延伸形成，

所述集成电路装置被安装在所述基板上，所述集成电路装置的所述多个端子的各端子上连接有所述多条信号电极线中的一条。

2.根据权利要求1所述的超声波测量装置，其特征在于，

所述超声波元件阵列是矩形，

将所述矩形的长边方向作为第一方向时，所述集成电路装置以所述集成电路装置的长边方向沿着所述第一方向的方式被安装在所述基板上，

所述多条信号电极线沿着与所述第一方向交叉的第二方向形成在所述基板上。

3.根据权利要求1或2所述的超声波测量装置，其特征在于，

所述多个超声波元件中的各超声波元件具有第一电极、第二电极、以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间的换能器部，

所述第一电极或所述第二电极作为所述至少一条信号电极线在所述基板上延伸形成。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的超声波测量装置，其特征在于，

所述集成电路装置的所述多个端子由突起电极构成，

所述集成电路装置被倒装芯片安装在所述基板上。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的超声波测量装置，其特征在于，

所述集成电路装置的电路元件在硅基板上形成，

所述超声波换能器装置的所述基板由硅构成。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的超声波测量装置，其特征在于，

所述超声波元件阵列的振动膜在所述基板上形成，所述至少一个信号电极在所述振动膜上延伸形成。

7.根据权利要求6所述的超声波测量装置，其特征在于，

包括安装在所述基板上的第二集成电路装置，

所述超声波元件阵列是矩形，

所述集成电路装置被安装在所述矩形的第一长边侧，所述第二集成电路装置被安装在所述矩形的第二长边侧。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的超声波测量装置，其特征在于，

所述超声波元件阵列是矩形，

所述集成电路装置对应于所述多个端子中的每一个地具有用于输出所述发送信号的发送电路，

将所述矩形的长边方向作为第一方向时，多个所述发送电路在将所述集成电路装置安装在所述基板上的状态下，沿所述第一方向配置。

9.根据权利要求8所述的超声波测量装置，其特征在于，

所述集成电路装置对应于所述多个端子中的每一个地具有与该端子连接的收发切换开关，

在将所述集成电路装置安装在所述基板上的状态下，多个所述收发切换开关沿所述第一方向配置。

10.根据权利要求8或9所述的超声波测量装置，其特征在于，

所述集成电路装置具有多路复用器，所述多路复用器配置在沿所述第一方向配置的所述多个端子与沿所述第一方向配置的所述多个发送电路之间。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的超声波测量装置，其特征在于，

在所述基板以及安装在所述基板上的所述集成电路装置上形成有保护所述超声波元件阵列的保护膜层。

12.根据权利要求11所述的超声波测量装置，其特征在于，

所述保护膜层兼作声匹配层。

13.根据权利要求1至12中任一项所述的超声波测量装置，其特征在于，

所述基板具有阵列状配置的多个开口，

所述多个超声波元件中的各超声波元件具有：

封闭所述多个开口中的对应的开口的振动膜；以及

设置在所述振动膜上的压电元件部，

所述压电元件部具有：

设置在所述振动膜上的下部电极；

设置成覆盖所述下部电极的至少一部分的压电体膜；以及

设置成覆盖所述压电体膜的至少一部分的上部电极。