[发明专利]半导体发光器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体发光器件的方法，所述方法包括：

在半导体单晶生长衬底上形成隔离图案，所述隔离图案在所述半导体单晶生长衬底上限定了布置在所述隔离图案的多个部分之间的多个芯片单元区域，并且所述隔离图案被形成为相对于所述半导体单晶生长衬底的表面非直角倾斜；

在所述半导体单晶生长衬底上的由所述隔离图案限定的芯片单元区域中顺序地生长第一导电型半导体层、有源层、和第二导电型半导体层，从而形成发光结构，该发光结构的高度低于所述隔离图案的高度；

形成反射金属层，以覆盖所述发光结构和所述隔离图案；

在所述反射金属层上形成支撑衬底；

从所述发光结构上去除所述半导体单晶生长衬底；以及

将所述支撑衬底切割为单独的发光器件。

2.如权利要求1所述的方法，还包括：

在从所述发光结构上去除所述半导体单晶生长衬底之后，从所述发光结构上去除所述隔离图案。

3.如权利要求2所述的方法，还包括：

在去除所述隔离图案之后，在所述发光结构的侧表面上、在所述发光结构上的去除了所述半导体单晶生长衬底的那个表面的部分上、在所述反射金属层的侧表面上、以及在所述反射金属层上的没有形成所述发光结构的上表面的区域上形成钝化层。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述反射金属层包括以下中的至少一个：银(Ag)、镍(Ni)、铝(Al)、铑(Rh)、钯(Pd)、铱(Ir)、钌(Ru)、镁(Mg)、锌(Zn)、铂(Pt)、和金(Au)。

5.如权利要求1所述的方法，还包括：

在从所述发光结构上去除所述半导体单晶生长衬底之后，对所述发光结构用于发光的表面进行蚀刻，以形成光提取图案。

6.如权利要求1所述的方法，还包括：

在去除所述半导体单晶生长衬底之后，在所述发光结构上的去除了所述半导体单晶生长衬底的上表面上形成电极，其中操作所述电极来对所述发光结构供电。

7.如权利要求6所述的方法，还包括：

在形成用于对所述发光结构供电的电极的同时，或者在形成用于对所述发光结构供电的电极之后，在所述支撑衬底的下表面上形成金属层。

8.一种半导体发光器件，包括：

导电衬底；

布置在所述导电衬底上的反射金属层；

发光结构，其包括顺序地布置在所述反射金属层上的第二导电型半导体层、有源层、和第一导电型半导体层；

光提取图案，其位于所述发光结构的上表面上；以及

绝缘层，其覆盖所述发光结构的侧表面、所述反射金属层的侧表面、以及所述反射金属层上的没有布置所述发光结构的上表面的区域，

其中，所述绝缘层具有分布式布拉格反射器结构，并且所述绝缘层的外表面与所述导电衬底的外表面在竖直方向上共面，并且

其中，所述光提取图案是具有从50nm至3000nm范围周期的光子晶体结构。

9.如权利要求8所述的半导体发光器件，其中所述绝缘层的侧表面当中面朝所述发光结构的表面相对于所述导电衬底的表面非直角地倾斜。

10.如权利要求8所述的半导体发光器件，其中所述反射金属层包括以下中的至少一个：银(Ag)、镍(Ni)、铝(Al)、铑(Rh)、钯(Pd)、铱(Ir)、钌(Ru)、镁(Mg)、锌(Zn)、铂(Pt)、和金(Au)。

11.如权利要求8所述的半导体发光器件，其中所述发光结构用于发光的表面上具有光提取图案。

12.如权利要求8所述的半导体发光器件，还包括布置在所述发光结构的上表面上的电极，所述电极被构造为对所述发光结构供电。