[发明专利]半导体发光器件及其制造方法

说明书

本发明公开了半导体发光器件及其制造方法，其中的一种制造半导体发光器件的方法包括在半导体单晶生长衬底上形成隔离图案。在半导体单晶生长衬底上由隔离图案限定的一个芯片单元区域中顺序生长第一导电型半导体层、有源层、和第二导电型半导体层，并且形成反射金属层以覆盖发光结构和隔离图案。在反射金属层上形成支撑衬底，并且从发光结构上去除半导体单晶生长衬底。然后将支撑衬底切割为单独的发光器件。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2012年10月26日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2012-0119562的优先权，其内容通过引用方式并入于此。

技术领域

本发明涉及半导体发光器件及其制造方法。

背景技术

半导体发光器件（LED）是通过使用p-n结结构的特性而在对器件施加电流时根据电子空穴复合产生光能的器件。也就是说，当对由特定元素形成的半导体上施加正向电压时，电子和空穴移动通过正电极和负电极的交界处，从而复合。复合的电子和空穴具有的能级低于当他们单独（分开）时的能级。由于能级差异导致发光。

通过将支撑衬底附接至位于生长衬底上的发光结构，并去除生长衬底，来制造发光二极管（LED）。通常使用激光剥离工艺来去除生长衬底。但是，由于激光照射，导致激光剥离工艺可能在与生长衬底相邻的区域中的半导体层中产生微裂纹，由此降低LED的发光效率。通过使用另外的工艺可以避免这样的损坏。但是，另外的工艺大体上使LED的制造变复杂。

发明内容

本公开的一个方面提供了半导体发光器件及其制造方法，所述半导体发光器件由于稳定地与生长衬底分离，因此具有增强的可靠性。

本公开的另一方面提供了一种半导体发光器件及其制造方法，由于使用简化的制造工艺来形成所述半导体发光器件，因此其具有高度价格竞争力和高照明效率。

根据本公开的一个方面，提供了一种制造半导体发光器件的方法。所述方法包括在半导体单晶生长衬底上形成隔离图案，其中隔离图案在半导体单晶生长衬底上限定了布置在所述隔离图案的各部分之间的多个芯片单元区域。在半导体单晶生长衬底上的由隔离图案限定的一个芯片单元区域中顺序地生长第一导电型半导体层、有源层、和第二导电型半导体层，从而形成高度相比于隔离图案的高度更低的发光结构。形成反射金属层，以覆盖发光结构和隔离图案。在反射金属层上形成支撑衬底。从发光结构上去除半导体单晶生长衬底；以及将支撑衬底切割为单独的发光器件。

所述方法还可以包括：在从发光结构上去除半导体单晶生长衬底后，从发光结构上去除隔离图案。

所述方法还可以包括：在去除隔离图案后，在发光结构的侧表面上、在发光结构上的去除了半导体单晶生长衬底的那个表面的部分上、在反射金属层的侧表面上、以及在反射金属层上的没有形成所述发光结构的上表面的区域上形成钝化层。

隔离图案可以被形成为相对于半导体单晶生长衬底的表面非直角倾斜。

反射金属层可以包括以下中的至少一个：银（Ag）、镍（Ni）、铝（Al）、铑（Rh）、钯（Pd）、铱（Ir）、钌（Ru）、镁（Mg）、锌（Zn）、铂（Pt）、和金（Au）。

所述方法还可以包括：在从发光结构上去除半导体单晶生长衬底后，对发光结构用于发光的表面进行蚀刻，以形成光提取图案。

所述方法还可以包括：在去除半导体单晶生长衬底后，在发光结构上的去除了半导体单晶生长衬底的上表面上形成电极，其中该电极可被操作来对发光结构供电。

所述方法还可以包括：在形成用于对发光结构供电的电极的同时，或者在形成用于对发光结构供电的电极之后，在支撑衬底的下表面上形成金属层。