[发明专利]激光键合方法有效
申请号: | 201310513406.5 | 申请日: | 2013-10-25 |
公开(公告)号: | CN103531726A | 公开(公告)日: | 2014-01-22 |
发明(设计)人: | 张建华;付奎;葛军锋 | 申请(专利权)人: | 上海大学 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L21/56 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 吴平 |
地址: | 200444*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 激光 方法 | ||
技术领域
本发明涉及激光封装技术,特别是涉及一种激光键合方法。
背景技术
随着技术的发展,OLED封装技术从胶水封装发展到目前的激光封装。传统的OLED激光封装技术大致是:激光扫描玻璃料过程中激光光束扫描印刷在玻璃器件上基板上的玻璃料一个周期,由于玻璃料图案是环形封闭的,为了玻璃器件在激光的照射下更好的密封,故激光光束在扫描玻璃料图案时,激光光束的路径必须也是封闭的。
然而,该封闭式的激光键合方法的键合效果不佳,尤其是在激光进入玻璃器件并对在玻璃料的起始点和结束点重合处进行照射,会对起始点和结束点的重合处造成应力累积,使玻璃装置的剩余应力累积在两点重合处,产生翘曲或裂纹等问题。
发明内容
基于此,提供一种激光键合较佳的激光键合方法。
一种激光键合方法,包括如下步骤:按照预设激光键合路径在上玻璃基板处设置玻璃料,所述激光键合路径的起始段与结束段相对设置;上玻璃基板与下玻璃基板对位准确;沿所述激光键合路径进行激光封装。
在其中一个实施例中,所述起始段与结束段相对设置的位置距离小于设定距离D;D=d0×αt;其中,d0为起始段或结束段的初始宽度,α为玻璃料的体积膨胀系数,t为摄氏温度。
在其中一个实施例中,还包括:在上玻璃基板上预设过渡键合路径,在所述过渡键合路径上设置玻璃料;所述过渡键合路径与所述激光键合路径连接。
在其中一个实施例中,所述过渡键合路径与所述激光键合路径连接的步骤具体地为:所述过渡键合路径与所述激光键合路径的起始段连接。
在其中一个实施例中,所述沿所述激光键合路径进行激光封装的步骤之前包括:激光沿所述过渡键合路径进行预键合。
在其中一个实施例中,所述激光根据预设的功率递增曲线递增激光功率。
在其中一个实施例中,所述沿所述激光键合路径进行激光封装的步骤具体为:激光周期性的沿所述激光键合路径,直至所述玻璃料处于熔融状态,并进行封装。
在其中一个实施例中,所述进行封装的步骤具体为:在设定的时间内,激光按照所述玻璃料处于熔融状态的温度持续封装。
在其中一个实施例中,所述在设定的时间内,激光按照所述玻璃料处于熔融状态的温度持续封装的步骤之后还包括:激光根据预设的功率降低曲线降低激光功率。
在其中一个实施例中,所述玻璃料处于熔融状态的温度为400至600度。
采用上述方法,通过把玻璃料的起始段与结束段错位且相对设置,利用玻璃料熔融状态时的流动性,使得起始段与结束段贴合,由于起始段与结束段不是“点-点”闭合,而是“线-线”贴合,能够提高上下玻璃基板的密封性。
附图说明
图1为一实施例激光键合方法流程图;
图2为一实施例激光键合路径示意图;
图3为另一实施例激光键合路径示意图;
图4为图3中激光键合路径的起始段与结束段的示意图;
图5为一实施例具有过渡键合路径的激光键合路径示意图;
图6为图5中过渡键合路径、起始段与结束段的示意图;
图7为一实施例玻璃料形状的立体图;
图8为一实施例玻璃料的宽度变化示意图;
图9为另一实施例激光键合方法流程图;
图10为一实施例预先设置的功率递增曲线;
图11为一实施例预先设置的持续封装功率曲线;
图12为一实施例预先设置的功率降低曲线。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
以下为了更好的说明本方案的特点,以OLED的玻璃基板的激光键合为例,但是不作为对本发明进行进一步限定。
参见附图1~8,激光键合方法,包括如下步骤:
S10:按照预设激光键合路径在上玻璃基板处设置玻璃料,激光键合路径的起始段与结束段相对设置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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