[发明专利]形成半导体器件的双镶嵌结构的方法以及由其制造的半导体器件有效

专利信息
申请号: 201310516715.8 申请日: 2013-10-28
公开(公告)号: CN103904024A 公开(公告)日: 2014-07-02
发明(设计)人: 文俊怜;赵娟振;李圣宰;朴惟廷;尹龙云;李哲虎;李忠宪 申请(专利权)人: 第一毛织株式会社
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768;H01L21/311;H01L23/522
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 余刚;张英
地址: 韩国庆*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 形成 半导体器件 镶嵌 结构 方法 以及 制造
【权利要求书】:

1.一种形成半导体器件的双镶嵌结构的方法,包括:

(a)在衬底上依次形成第一绝缘层和第二绝缘层;

(b)形成具有用于在所述第二绝缘层上形成通孔的图案的抗蚀剂掩模;

(c)形成向下至所述第一绝缘层下端的通孔;

(d)以旋转涂布法在所述通孔中和所述第二绝缘层上形成硬掩模层;

(e)形成具有用于在所述硬掩模层上形成槽孔的图案的抗蚀剂掩模;

(f)形成通过所述抗蚀剂掩模向下深入到所述第二绝缘层下端的第一槽孔;

(g)分别去除所述通孔中和所述第二绝缘层上的所述硬掩模层的一部分;

(h)通过去除在所述通孔的顶角,即通孔顶角,和所述第一槽孔的底角,即槽孔底角,之间的所述第二绝缘层的一部分来形成第二槽孔;

(i)去除保留在所述通孔中和所述第二绝缘层上的所述硬掩模层;以及

(j)通过用导电材料填充所述通孔和所述第二槽孔来形成上部导线。

2.根据权利要求1所述的方法,其中所述第二槽孔具有弯曲形状。

3.根据权利要求1所述的方法,其中所述硬掩模层的形成(d)包括在温度为200℃至500℃下的热处理。

4.根据权利要求1所述的方法,其中在所述抗蚀剂掩模的形成(e)之前,在所述硬掩模层上形成包含硅的辅助层。

5.根据权利要求1所述的方法,还包括在所述硬掩模层的形成(d)之前形成底部抗反射涂层(BARC)。

6.根据权利要求1所述的方法,其中在所述硬掩模层的形成(d)过程中,所述硬掩模层的厚度为至

7.根据权利要求1所述的方法,其中在(f)中形成的所述第一槽孔具有基于100%的所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的深度总和40%至80%的深度。

8.根据权利要求1所述的方法,其中在去除(g)中的所述硬掩模层的一部分后,保留在所述通孔中和所述第二绝缘层上的所述硬掩模层分别为至以及至的厚度。

9.一种包括多个图案的半导体器件,所述半导体器件是根据权利要求1-8任一项所述的形成半导体器件的双镶嵌结构的方法制造的。

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