[发明专利]碳化硅肖特基结型核电池无效
| 申请号： | 201310516945.4 | 申请日： | 2013-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN103730184A | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | 梅欣 | 申请（专利权）人： | 溧阳市浙大产学研服务中心有限公司 |
| 主分类号： | G21H1/06 | 分类号： | G21H1/06 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 黄明哲 |
| 地址： | 213300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳化硅 肖特基结型 核电 | ||
【权利要求书】：
1.一种碳化硅肖特基结型核电池，自下而上依次包括n型欧姆接触电极(8)、n型SiC衬底(7)、n型SiC外延层(6)、SiO2钝化层(5)、肖特基金属接触层(4)、肖特基接触电极(3)、键合层(2)和放射性同位素源层(1)，其特征在于：n型SiC衬底(7)的掺杂浓度为1×1018～7×1018cm-3，n型SiC外延层(6)的掺杂浓度为1×1013～5×1014cm-3，且通过注入能量为2000KeV～2500KeV，剂量为5×1013～1×1015cm-2的铌离子形成。
2.根据权利要求1所述的碳化硅肖特基结型核电池，其特征在于，所述n型SiC外延层(6)的厚度为3um～5um。
3.根据权利要求1所述的碳化硅肖特基结型核电池，其特征在于，所述放射性同位素源层为Ni-63层。
4.根据权利要求1所述的碳化硅肖特基结型核电池，其特征在于，所述欧姆接触电极为Ni/Cr/Au金属层。
5.根据权利要求1所述的碳化硅肖特基结型核电池，其特征在于，所述肖特基接触电极为Ni或Pt或Au。
6.根据权利要求1所述的碳化硅肖特基结型核电池，其特征在于，所述键合层为Cr/Au层。
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