[发明专利]高迁移率低源漏电阻的三栅控制型无结晶体管

权利要求书

1.一种高迁移率低源漏电阻的三栅控制型无结晶体管，包括SOI晶圆的硅衬底（10），SOI晶圆的硅衬底（10）上方为SOI晶圆的绝缘层（9）；其特征在于：SOI晶圆的绝缘层（9）上方为单晶硅薄膜（8），单晶硅薄膜（8）上方为栅极绝缘层（7），相邻的单晶硅薄膜（8）之间通过绝缘介质层（6）隔离；每个单晶硅薄膜（8）中部上方的栅极绝缘层（7）上方依次设有源控栅电极（2）、沟道控栅电极（3）、漏控栅电极（4），栅极绝缘层（7）的上方设有将源控栅电极（2）、沟道控栅电极（3）和漏控栅电极（4）彼此隔离的绝缘介质层（6）；通过刻蚀工艺刻蚀掉每个单晶硅薄膜（8）两端上方位置对应的栅极绝缘层（7）和绝缘介质层（6），并在刻蚀掉的通孔中注入金属分别生成源电极（1）和漏电极（5）。

2.根据权利要求1所述的高迁移率低源漏电阻的三栅控制型无结晶体管，其特征在于：源控栅电极（2）、沟道控栅电极（3）和漏控栅电极（4）这三个电极为彼此独立控制的栅电极。

3.根据权利要求1所述的高迁移率低源漏电阻的三栅控制型无结晶体管，其特征在于：单晶硅薄膜（8）为高迁移率低掺杂浓度的硅薄膜。

4.根据权利要求1所述的高迁移率低源漏电阻的三栅控制型无结晶体管，其特征在于：栅极绝缘层（7）是具有高介电常数的绝缘材料介质层或者二氧化硅层。