[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置。

背景技术

请参考图1和图2，现有的薄膜晶体管-液晶显示器（TFT-LCD）显示面板的阵列基板包括：基板101，公共电极102，栅极扫描线103，公共电极线（Common Line）104，绝缘层105，有源层（Active）106，源/漏极线107，保护层（PVX）108及像素电极109。该种结构的阵列基板，公共电极线104是位于基板101的像素区域内，通过公共电极线104将公共电压加载到公共电极102上的，其中，整个阵列基板上的公共电极线104呈网格状分布。

请参考图3，图3为现有技术中的TFT-LCD显示面板对盒后的结构示意图，该TFT-LCD显示面板包括上述阵列基板100及彩膜基板200，彩膜基板200包括：基板201、黑矩阵（BM）202、彩色滤光片203及透明电极层204。由于公共电极线104呈网格状分布，且与栅极扫描线103之间需要间隔一定的距离，因此导致公共电极线104周围区域产生漏光，为了遮挡住漏光区域，如图3所示，需要将增加黑矩阵202的线宽将其延伸至漏光区域所在的位置，增加黑矩阵201的线宽，将使得TFT-LCD显示面板的开口率和透过率降低。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置，以解决为遮挡因公共电极线周边区域的漏光需增加黑矩阵的线宽，而导致TFT-LCD显示面板的开口率和透过率低的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供阵列基板，包括：

第一基板及形成于所述第一基板上的公共电极层和公共电极线，所述公共电极层与所述公共电极线连接；其中，所述第一基板包括：像素区域及位于所述像素区域四周的非像素区域，所述公共电极层覆盖所述第一基板的整个像素区域，所述公共电极线位于所述第一基板的非像素区域内。

优选地，所述公共电极线呈口字型，分布于所述公共电极层的四周。

优选地，所述公共电极层的外侧边缘的第一部分位于所述第一基板的非像素区域内，所述公共电极层的外侧边缘的第一部分与所述公共电极线的内侧边缘的第一部分重叠。

优选地，所述公共电极层的膜厚为600～2000埃。

优选地，所述阵列基板还包括：

形成于所述公共电极层上的第一绝缘层；及

形成于所述第一绝缘层上的栅极扫描线；

其中，所述第一绝缘层的尺寸等于或大于所述栅极扫描线的尺寸。

优选地，所述阵列基板还包括：

形成于所述栅极扫描线上的第二绝缘层；

形成于所述第二绝缘层上的有源层；

形成于所述有源层上的源/漏电极线；

形成于所述源/漏电极线上的保护层；及

形成于所述保护层上的像素电极。

本发明还提供一种显示面板，包括彩膜基板及上述阵列基板。

优选地，所述彩膜基板包括：第二基板及依次形成于所述第二基板上的黑矩阵、彩色滤光片及透明电极层。

本发明还提供一种显示装置，包括上述显示面板。

本发明还提供一种阵列基板的制备方法，包括以下步骤：

提供一第一基板，所述第一基板包括：像素区域及位于所述像素区域四周的非像素区域；

形成覆盖于所述第一基板的整个像素区域的公共电极层；

在所述第一基板的非像素区域内形成公共电极线，所述公共电极线与所述公共电极层连接；

在所述公共电极层上形成第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上形成栅极扫描线；

在所述栅极扫描线上形成第二绝缘层；

在所述第二绝缘层上形成有源层；

在所述有源层上形成源/漏电极线；

在所述源/漏电极线上形成保护层；及

在所述保护层上形成像素电极。

本发明的上述技术方案的有益效果如下：

将现有的位于基板的像素区域内的公共电极线去除，将公共电极线设置在基板的非像素区域内，将公共电极层覆盖整个像素区域，从而避免了像素区域的漏光问题，进一步地可以减小与阵列基板对应设置的彩膜基板上的黑矩阵的线宽，以提高显示面板的开口率和透过率。

附图说明

图1为现有技术中的TFT-LCD显示面板的阵列基板的结构示意图；

图2为图1中的阵列基板的沿A-A截面的结构示意图；

图3现有技术中的TFT-LCD显示面板对盒后的结构示意图；