[发明专利]微透镜阵列基板的制造方法

权利要求书

1.一种微透镜阵列基板的制造方法，其特征在于，

包括：

在基板上形成氧化膜的工序，

对于形成有所述氧化膜的基板进行退火处理的工序，

将在对应于应当形成的微透镜的中心的部位具有开口部的掩模形成于所述氧化膜上的工序，

通过介由所述掩模对所述氧化膜和所述基板进行湿蚀刻，在形成有所述氧化膜的所述基板，形成在侧缘具有锥度的非球面的凹部的工序，

通过在所述凹部使折射率比所述基板大的材料堆积，来形成微透镜的工序，和

在所述微透镜上形成光路长度调整层的工序；

形成所述光路长度调整层的工序包括：使在与所述基板的法线方向正交的方向承受压缩应力的第1膜和在与所述基板的法线方向正交的方向承受拉伸应力的第2膜层叠的工序；

在形成所述光路长度调整层的工序中，从所述第1膜和所述第2膜之中选择下述膜，将其最先形成于所述微透镜上，该膜在抵消由于所述退火处理而产生于所述基板的翘曲的方向显现使所述基板翘曲的应力。

2.根据权利要求1所述的微透镜阵列基板的制造方法，其特征在于：

所述基板为石英基板，且所述氧化膜为氧化硅膜；

在形成所述光路长度调整层的工序中，选择所述第1膜作为最先形成于所述微透镜上的膜。

3.根据权利要求2所述的微透镜阵列基板的制造方法，其特征在于：

所述退火处理在800℃以上且1100℃以下进行。

4.根据权利要求1～3中的任一项所述的微透镜阵列基板的制造方法，其特征在于：

在形成所述光路长度调整层的工序中，在抵消因在形成所述光路长度调整层的工序以后进行的后续工序而产生于所述基板的翘曲的方向，使所述基板翘曲。

5.根据权利要求4所述的微透镜阵列基板的制造方法，其特征在于：

所述后续工序为在所述光路长度调整层上形成遮光膜的工序；

在形成所述光路长度调整层的工序中，在抵消因形成所述遮光膜的工序而产生于所述基板的翘曲的方向，使所述基板翘曲。