[发明专利]微透镜阵列基板的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及微透镜阵列基板的制造方法。

背景技术

在液晶装置等的电光装置中，在其图像显示区域内，形成有数据线、扫描线、电容线等的各种布线和／或薄膜晶体管（以下，称为TFT（Thin Film Transistor））等的各种电子元件。因此，在平行光入射于电光装置的情况下，在原样不变的情况下只能利用全部光量之中的相应于各像素的开口率的光量。

因此现有技术中，在对置基板形成包括对应于各像素的微透镜而形成的微透镜阵列，或将微透镜阵列基板贴附于对置基板。由此，在原样不变的情况下将朝向各像素的开口区域以外的非开口区域行进的光以像素为单位聚光而导至各像素的开口区域内。其结果是，在电光装置中可以进行明亮的显示。

这种微透镜作为基本性的要求，重要的是使透镜效率提高。因此，提出用于制造非球面形状的微透镜的方法。

例如，在专利文献1中，公开了包括以下工序的微透镜的制造方法：在基板上，形成蚀刻速率比基板高的第1膜的工序；将在对应于应当形成的微透镜的中心的部位设置有孔的掩模形成于第1膜上的工序；和通过介由掩模进行湿蚀刻，形成对微透镜的曲面进行规定的非球面的凹部的工序。

专利文献1：日本特开2004—70283号公报

在专利文献1，记载为：在基板上形成第1膜之后，对于第1膜实施通过预定温度进行的退火处理，烧固第1膜，由此进行蚀刻速率的控制。可是，通过本申请发明人查明：若采用该方法，则由于退火处理会在基板产生翘曲，在此后的成膜工序等中有时会产生不良状况。若基板的翘曲大，则在元件基板和对置基板的贴合工序中难以位置对合，难以进行元件基板和对置基板的贴合。并且，若基板的翘曲大，则在基板的输送时会无法进行真空吸附而产生错误，或在作为基板表面的平坦化工序而进行研磨时可能会局部性地施力，导致膜剥离。

发明内容

本发明为了解决所述的问题而作出，目的在于提供可以对基板的翘曲进行抑制的微透镜阵列的制造方法。

为了达到所述的目的，本发明采用以下的方式。

（1）即，本发明的一个方式中的微透镜阵列的制造方法包括：在基板上形成氧化膜的工序、对于形成有所述氧化膜的基板进行退火处理的工序、将在对应于应当形成的微透镜的中心的部位具有开口部的掩模形成于所述氧化膜上的工序、通过介由所述掩模对所述氧化膜和所述基板进行湿蚀刻而在形成有所述氧化膜的所述基板形成在侧缘具有锥度的非球面的凹部的工序、通过在所述凹部使折射率比所述基板大的材料堆积而形成微透镜的工序和在所述微透镜上形成光路长度调整层的工序；形成所述光路长度调整层的工序包括：使在与所述基板的法线方向正交的方向承受压缩应力的第1膜和在与所述基板的法线方向正交的方向承受拉伸应力的第2膜进行层叠的工序；在形成所述光路长度调整层的工序中，从所述第1膜和所述第2膜之中选择在抵消由于所述退火处理而产生于所述基板的翘曲的方向显现使所述基板翘曲的应力的膜，将其最先形成于所述微透镜上。

根据该方法，因为在形成光路长度调整层的工序的最先，将在抵消由于退火处理而产生于基板的翘曲的方向显现使基板翘曲的应力的膜形成于微透镜上，所以能够在形成光路长度调整层的最先的阶段，使由于退火处理而产生于基板的应力大大缓解。

假设在最先，将在与抵消由于退火处理而产生于基板的翘曲的方向相反方向显现使基板翘曲的应力的膜形成于微透镜上的情况下，该膜按在使由于退火处理而产生于基板的翘曲增大的方向使基板翘曲的方向起作用。因此，在形成光路长度调整层的最先的阶段，基板会严重翘曲，难以进行抵消基板的翘曲的校正。相对于此，在本发明的一个方式涉及的方法中，因为最先将在抵消由于退火处理而产生于基板的翘曲的方向显现使基板翘曲的应力的膜形成于微透镜上，所以不会产生所述的问题。

并且，因为第1膜和第2膜交替地进行层叠，所以通过对第1膜及第2膜的厚度和／或材料等的形成条件进行调整，能够一边对使产生于基板的应力缓解的程度进行调整一边进行抵消基板的翘曲的校正。

从而，能够对基板的翘曲进行抑制。

（2）在记载于所述（1）的微透镜阵列的制造方法中，也可以为：所述基板为石英基板，且所述氧化膜为氧化硅膜；在形成所述光路长度调整层的工序中，作为最先形成于所述微透镜上的膜选择所述第1膜。

（3）在记载于所述（2）的微透镜阵列的制造方法中，也可以为：所述退火处理在800℃以上且1100℃以下进行。