[发明专利]一种横向功率器件漂移区的制造方法

权利要求书

1.一种横向功率器件漂移区的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

a.在漂移区（1）上生长一层外延层，进行N型杂质和P型杂质注入，重复步骤a多次后进入步骤b；

b.通过退火处理，形成N型掺杂条（22）和P型掺杂条（21）；

c.在N型掺杂条（22）和P型掺杂条（21）之间刻蚀介质槽（3）；

d.对介质槽（3）进行介质填充；

e.平坦化去除多余的介质。

2.根据权利要求1所述的一种横向功率器件漂移区的制造方法，其特征在于，步骤a还包括：

a1.在漂移区（1）上生长一层外延层，所述外延层和漂移区（1）具有相同的掺杂类型和掺杂浓度，在外延层上依次覆盖薄氧化层（31）和光刻胶（4），在漂移区（1）上表面形成P型杂质注入窗口，进行高能离子注入形成P型掺杂区（21）；

a2.去除步骤a1中剩下的光刻胶（4），重新光刻，在漂移区（1）上表面形成N型杂质注入窗口，进行高能离子注入形成N型掺杂区（22）；

a3.去除步骤a2中剩下的薄氧化层（31）和光刻胶（4），回到步骤a1。