[发明专利]一种加热腔室在审
| 申请号： | 201310526264.6 | 申请日： | 2013-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN104599999A | 公开（公告）日： | 2015-05-06 |
| 发明（设计）人： | 刘红义 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 加热 | ||
1.一种加热腔室，用于加热工件，其特征在于，所述加热腔室包括：
主腔室，所述工件能够竖直地设置在所述主腔室中；
热源腔室，所述热源腔室设置于所述主腔室的至少一侧并与所述主腔室固定连接，以对所述主腔室内的工件进行加热。
2.根据权利要求1所述的加热腔室，其特征在于，所述热源腔室设置于所述主腔室相对的两侧并与所述主腔室固定连接。
3.根据权利要求1所述的加热腔室，其特征在于，所述热源腔室内设置有加热灯。
4.根据权利要求3所述的加热腔室，其特征在于，所述加热腔室还包括透光的盖板，所述盖板设置于所述主腔室与所述热源腔室的相接处，所述盖板用于将所述主腔室与所述热源腔室分隔。
5.根据权利要求4所述的加热腔室，其特征在于，所述盖板与所述主腔室相接处设置有密封圈。
6.根据权利要求4所述的加热腔室，其特征在于，所述盖板由石英制成。
7.根据权利要求4所述的加热腔室，其特征在于，所述热源腔室与所述盖板相对的侧壁上设置有加热灯基座，所述加热灯设置于所述加热灯基座上，所述加热灯基座用于向所述加热灯供电。
8.根据权利要求7所述的加热腔室，其特征在于，所述热源腔室与所述盖板相对的侧壁外设置有外罩，所述外罩用于所述加热灯基座的电气隔离。
9.根据权利要求4中任意一项所述的加热腔室，其特征在于，所述热源腔室与所述盖板相对的侧壁内表面上设置有反射屏，所述反射屏用于将辐射反射至所述主腔室。
10.根据权利要求1所述的加热腔室，其特征在于，所述主腔室内的底部设置有工件夹具，所述工件夹具用于固定所述工件并使所述工件为竖直状态。
11.根据权利要求10所述的加热腔室，其特征在于，所述工件夹具上设置有多个卡槽。
12.根据权利要求1至11中任意一项所述的加热腔室，其特征在于，所述加热腔室还包括用于将所述主腔室和热源腔室固定连接的连接件。
13.根据权利要求1至11中任意一项所述的加热腔室，其特征在于，所述热源腔室内设置有测温仪，所述测温仪用于测量所述工件的温度。
14.根据权利要求1至11中任意一项所述的加热腔室，其特征在于，所述主腔室与外部腔室选择性的连通。
15.根据权利要求1至11中任意一项所述的加热腔室，其特征在于，所述热源腔室的侧壁设置有冷却水路，所述冷却水路用于冷却所述热源腔室的侧壁。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
