[发明专利]一种加热腔室

说明书

技术领域

本发明涉及半导体设备制造工艺领域，尤其涉及一种加热腔室。

背景技术

在半导体制造中，经常需要对半导体工件进行去气预加热，其主要工艺为将工件加热至一定温度以去除工件上吸附的水蒸气以及其它易挥发杂质等。

现有的加热腔室的结构如图1所示，在加热腔室1的上部设置有加热灯泡2，石英窗3将加热腔室1与外界大气隔离，以保证加热腔室1内的真空环境，加热灯泡2能够透过石英窗3对工件4进行照射，工件4放置在支撑平台5上，且支撑平台5中设置有加热丝组件6，该加热丝组件6能够与加热灯泡2同时工作以对工件4进行加热。

该现有的加热腔室中，工件上部和下部分别由加热灯泡和支撑平台中的加热丝组件来进行加热，由于上下部加热方式不同，容易出现加热不均匀的现象，而加热不均匀可能会导致部分区域杂质去除不干净，影响后续工艺，严重的局部温度不均匀甚至可能造成工件的破碎。此外，在该现有的加热腔室中，工件为水平放置在支撑平台上，工件下部的杂质受热向上挥发时仍然可能附着在工件上，造成污染，并且，该现有的加热腔室同时只能对一片工件进行加热，效率较低。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种加热腔室，使得能够对工件进行均匀加热以除去工件上吸附的水蒸气以及易挥发杂质。

为实现上述目的，本发明提供一种加热腔室，用于加热工件，所述加热腔室包括：

主腔室，所述工件能够竖直地设置在所述主腔室中；

热源腔室，所述热源腔室设置于所述主腔室的至少一侧并与所述主腔室固定连接，以对所述主腔室内的工件进行加热。

优选地，所述热源腔室设置于所述主腔室相对的两侧并与所述主腔室固定连接。

优选地，所述热源腔室内设置有加热灯。

优选地，所述加热腔室还包括透光的盖板，所述盖板设置于所述主腔室与所述热源腔室的相接处，所述盖板用于将所述主腔室与所述热源腔室分隔。

优选地，所述盖板与所述主腔室相接处设置有密封圈。

优选地，所述盖板由石英制成。

优选地，所述热源腔室与所述盖板相对的侧壁上设置有加热灯基座，所述加热灯设置于所述加热灯基座上，所述加热灯基座用于向所述加热灯供电。

优选地，所述热源腔室与所述盖板相对的侧壁外设置有外罩，所述外罩用于所述加热灯基座的电气隔离。

优选地，其特征在于，所述热源腔室与所述盖板相对的侧壁内表面上设置有反射屏，所述反射屏用于将辐射反射至所述主腔室。

优选地，所述主腔室内的底部设置有工件夹具，所述工件夹具用于固定所述工件并使所述工件为竖直状态。

优选地，所述工件夹具上设置有多个卡槽。

优选地，所述加热腔室还包括用于将所述主腔室和热源腔室固定连接的连接件。

优选地，所述热源腔室内设置有测温仪，所述测温仪用于测量所述工件的温度。

优选地，所述主腔室与外部腔室选择性的连通。

优选地，所述热源腔室的侧壁设置有冷却水路，所述冷却水路用于冷却所述热源腔室的侧壁。

可见，本发明通过在主腔室外设置热源腔室，并将工件竖直放置在主腔室中进行加热，能够对工件进行均匀加热以除去工件上吸附的水蒸气以及易挥发杂质。与现有技术相比，本发明能够使得工件的受热更加均匀，使得杂质去除更加干净，同时，避免了杂质以及有机物挥发后对工件造成的污染。此外，本发明还可以同时对多个工件的加热，显著提高了生产效率。

附图说明

附图是用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本发明，但并不构成对本发明的限制。在附图中：

图1为现有的加热腔室结构图；

图2为本发明实施例所提供的加热腔室结构图；

图3为加热腔室与外部腔室连接接口结构图；

图4为本发明实施例所提供的加热腔室应用场景示例图。

附图标记说明