[发明专利]一种横向高压器件漂移区的制造方法

权利要求书

1.一种横向高压器件漂移区的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

第一步：在横向高压器件漂移区上刻蚀出第一深槽，对第一深槽进行填充并形成第一导电类型杂质条；

第二步：在横向高压器件漂移区上刻蚀出第二深槽，对第二深槽进行填充并形成第二导电类型杂质条；

第三步：在横向高压器件漂移区上刻蚀出第三深槽，在第三深槽中填充介质形成介质槽，介质槽的两侧分别与第一导电类型杂质条和第二导电类型杂质条连接。

2.根据权利要求1所述的一种横向高压器件漂移区的制造方法，其特征在于，每一步中进行刻蚀前均在横向高压器件漂移区上生长刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层为光刻胶或氧化层。

3.根据权利要求2所述的一种横向高压器件漂移区的制造方法，其特征在于，所述第一步中对第一深槽进行填充并形成第一导电类型杂质条的具体方法为：

通过外延生长对第一深槽进行填充，并在外延生长的同时掺杂第一杂质，再利用平坦化工艺去除漂移区上外延掺杂多余部分。

4.根据权利要求3所述的一种横向高压器件漂移区的制造方法，其特征在于，所述第二步中对第二深槽进行填充并形成第二导电类型杂质条的具体方法为：

通过外延生长对第二深槽进行填充，并在外延生长的同时掺杂第二杂质，再利用平坦化工艺去除漂移区上外延掺杂多余部分。

5.根据权利要求4所述的一种横向高压器件漂移区的制造方法，其特征在于，所述第三步中在第三深槽中填充介质形成介质槽为通过淀积法或氧化法填充氧化物形成介质槽，再利用平坦化工艺去除在生长介质过程中漂移区上产生的多余部分。

6.根据权利要求5所述的一种横向高压器件漂移区的制造方法，其特征在于，所述第一杂质为P型杂质，第一导电类型杂质条为P型杂质条，第二杂质为N型杂质，第二导电类型杂质条为N型杂质条。

7.根据权利要求5所述的一种横向高压器件漂移区的制造方法，其特征在于，所述第一杂质为N型杂质，第一导电类型杂质条为N型杂质条，第二杂质为P型杂质，第二导电类型杂质条为P型杂质条。