[发明专利]多电压域的高压侧电路及半导体结构、电平移位电路

权利要求书

1.一种多电压域的高压侧电路，其特征在于，包括：

n个PMOS场效应晶体管，所述n个PMOS场效应晶体管均连接同一个高电压，所述n至少为2；

n个NMOS场效应晶体管，所述n个NMOS场效应晶体管分别连接第一次高电压～第n次高电压；

所述n个PMOS场效应晶体管与所述n个NMOS场效应晶体管一一对应耦合，所述第一次高电压～第n次高电压均不小于零，且所述第一次高电压～第n次高电压均小于所述高电压。

2.根据权利要求1所述的多电压域的高压侧电路，其特征在于，所述n个PMOS场效应晶体管的源极均连接同一个高电压，所述n个NMOS场效应晶体管的源极分别连接第一次高电压～第n次高电压。

3.根据权利要求1所述的多电压域的高压侧电路，其特征在于，所述n个PMOS场效应晶体管的漏极分别连接所述n个NMOS场效应晶体管的漏极。

4.一种半导体结构，其特征在于，用于实现权利要求1～3所述的任意一项所述的多电压域的高压侧电路，包括：

P型硅衬底；

位于所述P型硅衬底上的N阱；

位于所述N阱上的n个P阱，所述n至少为2；

所述N阱中形成有n个PMOS场效应晶体管，所述N阱作为所述n个PMOS场效应晶体管的共同衬底，所述N阱用于连接高电压；

所述n个P阱中分别形成有一个NMOS场效应晶体管，所述P阱作为与其对应的所述NMOS场效应晶体管的衬底，所述n个P阱分别用于连接第一次高电压～第n次高电压，且所述第一次高电压～第n次高电压均不小于零，且所述第一次高电压～第n次高电压均小于所述高电压；

位于所述N阱四周的N阱隔离层；

位于所述n个P阱四周的第一P阱隔离层～第nP阱隔离层。

5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第一P阱隔离层～第nP阱隔离层的厚度均小于所述N阱隔离层的厚度。

6.一种电平移位电路，其特征在于，包括：反相器、第二PMOS场效应晶体管、第三PMOS场效应晶体管、第二NMOS场效应晶体管和第三NMOS场效应晶体管；

所述反相器的第一连接端、第二PMOS场效应晶体管的源极和第三PMOS场效应晶体管的源极均连接同一高电压；所述反相器的第二连接端、第二NMOS场效应晶体管的源极和第三NMOS场效应晶体管的源极分别连接第一次高电压～第三次高电压，所述第一次高电压～第三次高电压均不小于零，所述第二次高电压与第三次高电压相等，且所述第一次高电压～第三次高电压均小于所述高电压；

所述反相器的输入端与所述第二PMOS场效应晶体管的栅极相连作为所述电平移位电路的输入端，所述反相器的输出端连接所述第三PMOS场效应晶体管的栅极；

所述第二PMOS场效应晶体管的漏极同时连接所述第二NMOS场效应晶体管的漏极和第三NMOS场效应晶体管的栅极；

所述第三PMOS场效应晶体管的漏极同时与所述第二NMOS场效应晶体管的栅极和第三NMOS场效应晶体管的漏极相连作为所述电平移位电路的输出端。

7.根据权利要求6所述的电平移位电路，其特征在于，所述反相器包括第一PMOS场效应晶体管和第一NMOS场效应晶体管；

所述第一PMOS场效应晶体管的源极作为所述反相器的第一连接端，所述第一NMOS场效应晶体管的源极作为所述反相器的第二连接端，所述第一PMOS场效应晶体管的栅极与第一NMOS场效应晶体管的栅极相连作为所述反相器的输入端，所述第一PMOS场效应晶体管的漏极与第一NMOS场效应晶体管的漏极相连作为所述反相器的输出端。