[发明专利]一种用于PoP封装的散热结构的制作方法

权利要求书

1.一种用于PoP封装的散热结构的制作方法，其特征在于，包括：

步骤1：制作上层封装基板(100)；

步骤2：将多个上层封装导热芯片或器件(201)贴在或者焊在上层封装基板(100)中多个thermal via(101)上，形成上层封装体；

步骤3：制作下层封装体；

步骤4：在上层封装基板(100)背面焊盘上刷锡膏，钢网植BGA球并回流，形成BGA支撑球(400)；

步骤5：在下层封装体(300)基板上表面焊盘上刷焊锡膏，下层封装焊盘与上层封装体BGA支撑球(400)对齐后，回流实现上层封装体与下层封装体互联；

步骤6：在下层封装体(300)基板背面焊盘上刷锡膏，钢网植BGA球(500)，回流实现下层封装体植球；

步骤7：在上层封装体顶部上设置一个散热罩(700)，在上层封装导热芯片或器件(201)与散热罩(700)之间涂一层高导热率热界面材料(600)。

2.根据权利要求1所述的用于PoP封装的散热结构的制作方法，其特征在于，所述步骤1包括：

先将大面积铜箔(102)与介质层(103)依次交叉叠层形成基板，然后在该基板表面的中间部分打孔并填充铜形成多个thermal via(101)，并在该基板表面的四周打半孔并填充铜形成多个半过孔(104)。

3.根据权利要求2所述的用于PoP封装的散热结构的制作方法，其特征在于，所述大面积铜箔(102)采用厚铜，厚度范围为12～36μm，且大面积铜箔(102)与半过孔(104)互联，半过孔(104)中填充满铜，半过孔(104)与散热罩(700)连接。

4.根据权利要求1所述的用于PoP封装的散热结构的制作方法，其特征在于，所述步骤3包括：

将多个下层封装导热芯片或器件(202)贴在或者焊在下层封装基板(300)上，形成下层封装体。

5.根据权利要求1所述的用于PoP封装的散热结构的制作方法，其特征在于，步骤4中所述BGA支撑球(400)一方面能够实现上下两层封装体的电互联，另一方面用以支撑上层封装体。

6.根据权利要求1所述的用于PoP封装的散热结构的制作方法，其特征在于，步骤7中所述散热罩(700)作为屏蔽罩，采用的材料为铝或锌铝合金，用以实现上层封装导热芯片或器件(201)散热以及屏蔽。

7.根据权利要求1所述的用于PoP封装的散热结构的制作方法，其特征在于，步骤7中所述高导热率热界面材料(600)用以减小上层封装体与散热罩(700)的接触热阻。