[发明专利]一种用于PoP封装的散热结构的制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及内存和处理器集成以及射频(Radio Frequency，RF)收发组件集成的叠层封装(Pacakge on Package，PoP)技术领域，尤其是一种用于PoP封装的散热结构的制作方法。

背景技术

图1是现有技术中PoP封装结构的示意图，其中10为上层封装结构；11为球栅阵列(Ball Grid Array，BGA)焊球；20为下层封装结构；21为导电柱；22为模塑封材料；23为PCB基板；30为连接层；连接层30由焊料层31、金属层32和粘结层33组成。

该PoP封装结构由上层封装结构10和下层封装结构20通过BGA焊球11和连接层30互连形成的。BGA焊球11起到电气互连的作用，下层封装结构20的模塑封材料22内有与BGA焊球11电气连接的导电柱21。连接层30的作用是避免应力集中到焊球与下层封装结构的接合部位的边角部分，将应力分散到中央部位，从而防止焊球的翘曲。然而，上层封装的散热是一个瓶颈，上层封装芯片产生的大部分热量经上层封装体，BGA支撑球，下层封装体，再传导至基板，最后散出外界环境，热量不容易散出，影响封装体结温升高，限制堆叠芯片功率和堆叠数量。一般堆叠的封装体数量不超过两个。

发明内容

(一)要解决的技术问题

有鉴于此，本发明的主要目的在于提高一种用于PoP封装的散热结构的制作方法，以解决上层封装体的散热问题。

(二)技术方案

为达到上述目的，本发明提供了一种用于PoP封装的散热结构的制作方法，包括：步骤1：制作上层封装基板100；步骤2：将多个上层封装导热芯片或器件201贴在或者焊在上层封装基板100中多个导热孔(thermal via)101上，形成上层封装体；步骤3：制作下层封装体；步骤4：在上层封装基板100背面焊盘上刷锡膏，钢网植BGA球并回流，形成BGA支撑球400；步骤5：在下层封装体300基板上表面焊盘上刷焊锡膏，下层封装焊盘与上层封装体BGA支撑球400对齐后，回流实现上层封装体与下层封装体互联；步骤6：在下层封装体300基板背面焊盘上刷锡膏，钢网植BGA球500，回流实现下层封装体植球；步骤7：在上层封装体顶部上设置一个散热罩700，在上层封装导热芯片或器件201与散热罩700之间涂一层高导热率热界面材料600。

上述方案中，所述步骤1包括：先将大面积铜箔102与介质层103依次交叉叠层形成基板，然后在该基板表面的中间部分打孔并填充铜形成多个thermal via101，并在该基板表面的四周打半孔并填充铜形成多个半过孔104。所述大面积铜箔102采用厚铜，且大面积铜箔102与半过孔104互联，半过孔104中填充满铜，半过孔104与散热罩700连接。

上述方案中，所述步骤3包括：将多个下层封装导热芯片或器件202贴在或者焊在下层封装基板300上，形成下层封装体。

上述方案中，步骤4中所述BGA支撑球400一方面能够实现上下两层封装体的电互联，另一方面用以支撑上层封装体。

上述方案中，步骤7中所述散热罩700作为屏蔽罩，采用轻薄的材料，用以实现上层封装导热芯片或器件201散热以及屏蔽。

上述方案中，步骤7中所述高导热率热界面材料600用以减小上层封装体与散热罩700的接触热阻。

(三)有益效果

本发明提供的用于PoP封装的散热结构的制作方法，上层封装体采用thermal via+大面积铜箔+半过孔+高导热率热界面材料的散热结构，上层封装导热芯片或器件201产生的一部分热量经thermal via101传导至任一层大面积铜箔102上，然后被传导至填充满铜的半过孔104，最后经散热罩700散出去；一部分热量经高热导率的热界面材料600传导到散热罩700上，再传导到外部环境中；还有一部分热量依次经上层封装体、BGA支撑球400、下层封装体以及传导至下层封装体下的PCB板，最后散出至外界环境，有效地解决了上层封装体的散热问题。

附图说明

图1是现有技术中PoP封装结构的示意图；

图2是依照本发明实施例的用于PoP封装的散热结构的示意图；

图3至图9为依照本发明实施例的制作用于PoP封装的散热结构的工艺流程图；其中：

图3是依照本发明实施例的含有大面积铜箔、thermal via和半过孔的上层封装基板的结构示意图；

图4是依照本发明实施例的含有大面积铜箔、thermal via和半过孔的上层封装基板的俯视图；