[发明专利]一种星载高频微带至波导宽带低插损垂直转换电路

权利要求书

1.一种星载高频微带至波导宽带低插损垂直转换电路，其特征在于包括：微带线(1)、开路匹配枝节(2)、互联金带(3)、同轴玻璃绝缘子(4)、探针(5)、介质基片(6)、圆柱形通腔(7)、波导腔体(8)和微带腔体(9)，波导腔体(8)包括波导腔体(8)壁、波导腔体(8)空腔，微带腔体(9)包括微带腔体(9)壁、微带腔体(9)空腔，同轴玻璃绝缘子(4)由绝缘部分和插入到绝缘部分的引线构成；其中微带线(1)与开路匹配枝节(2)两者均位于介质基片(6)上，并相互连接，介质基片(6)粘接于微带腔体(9)壁内表面上，同轴玻璃绝缘子(4)烧结于微带腔体(9)壁中，实现微带腔体(9)与波导腔体(8)之间的气体隔离，同轴玻璃绝缘子(4)引线上端头伸入微带腔体(9)空腔中，同轴玻璃绝缘子(4)引线下端头伸入波导腔体(8)空腔中，同轴玻璃绝缘子(4)引线上端头与介质基板(6)之间有间隙，同轴玻璃绝缘子(4)引线上端头与开路匹配枝节(2)通过互联金带(3)压接，探针(5)焊接在同轴玻璃绝缘子(4)引线下端头上，与同轴玻璃绝缘子(4)的绝缘部分的下端面之间留有间隙，探针(5)的远离同轴玻璃绝缘子(4)绝缘部分的端面位于波导腔体(8)矩形波导窄边的一半位置，所述窄边为与探针(5)延伸方向平行的边，圆柱形通腔(7)开于波导腔体(8)壁上，用以伸入探针(5)，圆柱形通腔(7)与探针(5)之间形成了等效的电容；所述介质基片(6)与同轴玻璃玻璃绝缘子(4)引线上端头的最近距离为0.1mm，保证互联金带(3)路径短，同轴玻璃绝缘子(4)引线上端头不与介质基片(6)背面的大面积地短接。

2.根据权利要求1所述的星载高频微带至波导宽带低插损垂直转换电路，其特征在于：所述介质基片(6)粘接后的高度应与同轴玻璃绝缘子(4)引线上端头的高度一致，用以保证互联金带(3)两个压接点处在同一高度上，该两个压接点分别设置在同轴玻璃绝缘子(4)引线上端头、开路匹配枝节(2)，实现压接互连金带(3)的长度最短。

3.根据权利要求1所述的星载高频微带至波导宽带低插损垂直转换电路，其特征在于：所述互联金带(3)压接形状为弧线，拱高和跨度的控制应满足路径短，抗振。

4.根据权利要求1所述的星载高频微带至波导宽带低插损垂直转换电路，其特征在于：所述圆柱形通腔(7)的直径应大于探针(5)的直径，保证探针(5)，能够深入波导腔体(8)空腔中，圆柱形通腔(7)中心距波导底面为λ/4，λ为对应传输信号频率的波长。

5.根据权利要求1所述的星载高频微带至波导宽带低插损垂直转换电路，其特征在于，所述探针(5)距同轴玻璃绝缘子(4)的绝缘部分的距离为0.1mm，保证探针(5)尽可能的靠近同轴玻璃绝缘子(4)的绝缘部分的下端面，降低电传输不连续性，同时防止探针(5)与微带腔体(9)壁端面短接。

6.根据权利要求1所述星载高频微带至波导宽带低插损垂直转换电路，其特征在于：所述探针(5)为镀银铝质阶梯型，内含端头引线焊接孔(A)，以及通孔(B)，保证探针(5)的镀银及焊接质量。

7.根据权利要求1所述星载高频微带至波导宽带低插损垂直转换电路，其特征在于：所述微带腔体(9)与波导腔体(8)的传输方向为同向设计，信号沿微带线(1)传输方向，与信号在波导腔体(8)中的矩形波导的传输方向一致。

8.根据权利要求1所述星载高频微带至波导宽带低插损垂直转换电路，其特征在于：所述互联金带(3)为矩形或扇形。