[发明专利]一种制备ZnO纳米锥阵列的低温液相生长方法有效
| 申请号： | 201310535080.6 | 申请日： | 2013-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN103603040A | 公开（公告）日： | 2014-02-26 |
| 发明（设计）人： | 余新泉;夏咏梅;吴春晓;章雯;张友法;陈锋 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;C30B19/00;C30B29/62 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 冯慧 |
| 地址： | 211189 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制备 zno 纳米 阵列 低温 相生 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种制备ZnO纳米锥阵列的低温液相生长方法，在生长液中基底生长面采取向下悬空放置；其特征在于：直接将清洗干净的基底生长面向下悬浮于生长溶液中水浴生长得到ZnO纳米锥阵列；阵列生长溶液为KOH和Zn(NO3)2配制的Zn(OH)42-水溶液。
2.根据权利要求1所述的制备ZnO纳米锥阵列的低温液相生长方法，其特征在于，所述的反应溶液为KOH和Zn(NO3)2配制的浓度为0.10～0.25mol·L-1Zn(OH)42-的水溶液，并控制溶液的pH值在10～12之间。
3.根据权利要求1所述的制备ZnO纳米锥阵列的低温液相生长方法，其特征在于，阵列生长温度为20～50℃。
4.根据权利要求1所述的制备ZnO纳米锥阵列的低温液相生长方法，其特征在于，阵列生长的时间为1～12h。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东南大学，未经东南大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310535080.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
